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酸化Si(113)表面における電子状態の解析

Analysis of electronic states on oxidized Si(113) surfaces

大野 真也*; 安部 壮祐*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 安田 哲二*; 田中 正俊*

Ono, Shinya*; Abe, Sosuke*; Miura, Shu*; Narishige, Takuma*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*

Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造をもつMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO$$_{2}$$/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態のより詳細な理解が求められている。Si(113)面の酸素分子による初期酸化過程を明らかにするため、本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)においてリアルタイム光電子分光実験を行った。Si(113)-(3$$times$$2)表面のSi2pスペクトルから、Si$$^{1+}$$, Si$$^{2+}$$, Si$$^{3+}$$, Si$$^{4+}$$の順番で順次酸化状態が現れた。表面において最も活性なダングリングボンドを有するサイトからの光電子信号が消失した後で直ちにSi$$^{4+}$$成分が出現することから、酸素が局所的に寄り集まって形成される酸化島が低被覆率でも成長し得ると結論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

ナノ学会第11回大会

開催年月

 :

2013/06

開催都市

 :

東京

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
(成果普及情報誌)

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受委託・共同研究相手機関

 :

横浜国立大学

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