Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
2) investigated using supersonic seeded molecular beams大野 真也*; 田中 一馬*; 小玉 開*; 田中 正俊*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿*
Surface Science, 697, p.121600_1 - 121600_6, 2020/07
被引用回数：1 パーセンタイル：6.04(Chemistry, Physical)放射光高分解能光電子分光法によってシリコン(113)表面の初期酸化を調べた。本研究では、Si2pとO1s光電子スペクトルから酸化物の厚さおよび組成を評価するとともにSiO
/Si界面のひずみを評価した。Si2pから酸化成分(Si
, Si
, Si
, Si
)を分析した。また、O1sスペクトルは、低結合エネルギー成分(LBC)および高結合エネルギー成分(HBC)に分離された。非熱酸化プロセスを調べるために、並進運動エネルギー(
)を高めることが可能な超音速シード分子ビーム(SSMB)を使った。酸化物の品質と酸化速度が、を変えることで大きく変わることが明らかになった。
岸本 俊二*; 三井 隆也; 春木 理恵*; 依田 芳卓*; 谷口 敬*; 島崎 昇一*; 池野 正弘*; 斉藤 正俊*; 田中 真伸*
Journal of Instrumentation (Internet), 10(5), p.C05030_1 - C05030_6, 2015/05
被引用回数：6 パーセンタイル：28.31(Instruments & Instrumentation)We developed an X-ray detector system using a 64-pixel silicon avalanche photodiode Si-APD linear array and fast pulse-counting electronics for multichannel scaling. The Si-APD linear array consists of 64 pixels each 0.010.02 cm
in size, with a pixel pitch of 0.015 cm and depletion depth of 0.001 cm. The fast electronics, consisting of an ultrafast application-specific integrated circuit and field-programmable gate arrays, can record both the position and timing of X-rays arriving at each pixel of the linear array with 1 ns pulse-pair resolution. The count distribution was measured using 14.4 keV synchrotron X-rays for nuclear resonant forward scattering experiments on 
Fe, and the spatial resolution was improved by inclining the detector. We also successfully measured amorphous alloy Fe
Si
B
during heating.
Fe by multichannel scaling with a 64 pixel silicon avalanche photodiode linear-array detector岸本 俊二*; 三井 隆也; 春木 理恵*; 依田 芳卓*; 谷口 敬*; 島崎 昇一*; 池野 正弘*; 斉藤 正俊*; 田中 真伸*
Review of Scientific Instruments, 85(11), p.113102_1 - 113102_5, 2014/11
被引用回数：8 パーセンタイル：36.77(Instruments & Instrumentation)We developed a silicon avalanche photodiode (Si-APD) linear-array detector for use in nuclear resonant scattering experiments using synchrotron X-rays. The Si-APD linear array consists of 64 pixels (pixel size: 0,010.02 cm) with a pixel pitch of 0.015 cm and depletion depth of 0.001 cm. An ultrafast frontend circuit allows the X-ray detector to obtain a high output. High-performance integrated circuits achieve multichannel scaling over 1024 continuous time bins with a 1 ns resolution for each pixel without dead time. The multichannel scaling method enabled us to record a time spectrum of the 14.4 keV nuclear radiation at each pixel with a time resolution of 1.4 ns (FWHM). This method was successfully applied to nuclear forward scattering and nuclear small-angle scattering on Fe.
安部 壮祐*; 大野 真也*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
Applied Physics Express, 6(11), p.115701_1 - 115701_4, 2013/11
被引用回数：4 パーセンタイル：18.35(Physics, Applied)Thermal oxidation of high-index silicon surfaces, Si(113), Si(331) and Si(120) in a monolayer regime has been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) with synchrotron radiation. The oxide thickness, composition and band bending are evaluated by peak deconvolution of the Si 2p core level XPS spectra. We found that changes in the oxide composition correlate with changes in the band bending. This reveals that production of the Si state is associated with the Si ejection process accompanied by the production of vacancies. We found that reactivity of the Si(120) surface in oxidation is drastically reduced at reaction temperatures below 690 K.
大野 真也*; 井上 慧*; 森本 真弘*; 新江 定憲*; 豊島 弘明*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
Surface Science, 606(21-22), p.1685 - 1692, 2012/11
被引用回数：8 パーセンタイル：35.38(Chemistry, Physical)The initial oxidation on high-index silicon surfaces with (113) and (120) orientations at 820 K has been investigated by real-time X-ray photoemission spectroscopy (Si 2p and O 1s) using 687 eV photons. The time evolutions of the Si
(n=1-4) components in the Si 2p spectrum indicate that the Si state is suppressed on high-index surfaces compared with Si(001). The O 1s state consists of two components, a low-binding-energy component (LBC) and a high-binding-energy component (HBC). It is suggested that the O atom in strained Si-O-Si contributes to the LBC component. The reaction rates are slower on high-index surfaces compared with that on Si(001).
豊島 弘明*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 小澤 健一*; 間瀬 一彦*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治
Photon Factory Activity Report 2011, Part B, P. 102, 2012/00
有機分子と半導体表面との界面状態はこれまで構築されてきた無機半導体技術に有機半導体を融合していくうえで重要となる。本研究ではさまざまな分子で前処理を行ったシリコン(Si)基板表面上における
-チオフェンオリゴマー6量体(-6T)の薄膜形成過程をPES、角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、及びSDRS, RDS法により調べた。水分子を先に単分子吸着させたSi表面上に-6T分子を吸着させた場合は、角度分解NEXAFS法により-6T分子は基板表面上で分子主軸を直立させて配向することがわかった。また、垂直配向度は吸着厚みに依存した。0.6nmに比べ3nm以上の多分子層において配向性はより顕著であった。さらに、-6T分子の配向性は前処理した分子の種類に依存した。エチレンを曝したSi表面上において、-6T分子の配向はそれほど顕著でないことが見いだされた。前処理により分子配向を制御できる可能性を示す結果である。
大野 真也*; 井上 慧*; 森本 真弘*; 新江 定憲*; 豊島 弘明*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
信学技報, 111(114), p.23 - 27, 2011/07
シリコン高指数面(113)及び(120)の820Kでの初期酸化過程を687eVの放射光を用いてリアルタイムX線光電子分光(Si2p, O1s)によって調べた。Si2p光電子スペクトルの中のSi(n=1-4)成分の時間発展から、Si(100)基板の酸化に比べて高指数面ではSi状態の形成が抑制されることがわかった。O1s光電子スペクトルは、低結合エネルギー成分LBCと高結合エネルギー成分HBCのふたつの成分から構成されている。LBCはひずんだSi-O-Siに対応している。反応速度はSi(100)基板の酸化に比べて高指数面では遅いこともわかった。
田中 正俊*
JAERI-Research 97-019, 8 Pages, 1997/03
JAERI-Research-97-019.pdf:0.46MB
簡単な非線形ポテンシャルにおいて、入射フラックスがある限界値を越えた時、一意に決まらず多値になることを示した。安定性の検討によれば、透過モードのジャンプあるいはヒステリシス現象が起こりうる。
田中 正俊; 岩田 義一*
Journal of Nuclear Science and Technology, 29(12), p.1129 - 1132, 1992/12
入射粒子とパラメトリック共鳴する補助ポテンシャルを用いて、ポテンシャル障壁のトンネリング透過を増大しうる可能性を示す、簡単なモデル、2ステップの矩形井戸ポテンシャル列に対して、この補助ポテンシャル列の有無のばあいの粒子透過係数の比が非常に大きくなる例を与える。一例として比の値は(2n+1)
となる。ここでhは正の整数、Lは補助ポテンシャル列の周期数である。
田中 正俊*
JAERI-M 92-059, 19 Pages, 1992/05
ポテンシャル障壁V
(x)に対するビーム透過率が求められたとする。入射ビームとパラメトリック共鳴する周期的なポテンシャルV
(x)を入射側において、ビーム透過率を制御する可能性を検討した。V(x)として矩形ポテンシャル列をとった例で、これによる透過率の補正因子がK=(V/E)
/2
1(Eは入射エネルギ)のオーダーになるばあいがあることを示す。V(x)の列の長さに関係して多項式的に補正因子が大きくなる例はまだ見出されていない。
田中 正俊*
JAERI-M 91-205, 9 Pages, 1991/12
電気抵抗がランダムに変化する媒質中で間欠的な電場が存在する可能性について、モデル方程式にもとづいて検討した。また常温核融合との関係についての推測を述べた。
田中 正俊*
JAERI-M 91-168, 26 Pages, 1991/10
トロイダル磁場リップルとのサイクロトロン共鳴により、磁気モーメントの変化がおこる場合がある。磁気モーメントに対する運動方程式を離散化して写像として定式化し、それに基づいて磁気モーメントの変化の安定性、十分不安定で運動がストキャスティックになった場合の拡散係数を評価する。
田中 正俊
Nuclear Fusion, 25(9), p.1073 - 1080, 1985/00
被引用回数：1 パーセンタイル：6.19(Physics, Fluids & Plasmas)JFT-2,JFT-2a/DIVA,JFT-2M及びDoublet-IIIによる閉込め・加熱実験について主要な成果の概要を述べる。
田中 正俊
Comments Plasma Phys.Controll.Fus., 26(1A), p.117 - 122, 1984/00
抄録なし
田中 正俊*; 村上 義夫*
JAERI-M 8971, 350 Pages, 1980/08
「ダイバータ、第一壁材料及び不純物制御に関するワークショップ」が、昨年(1979年)11月の日米核融合調整委員会で決定された日米核融合協力計画に基づいて開催された。このワークショップは、科学技術庁が主催し、日本原子力研究所東海研究所において1980年3月17~20日に行われた。この会議録には、ワークショップに提出された論文、及び口頭、ポスター発表の要約が、議事日程、参加者名簿などとともにまとめてある。
岡本 正雄; 竹田 辰興; 田中 正俊; 浅井 清; 中野 鴻*; 川上 一郎*
JAERI-M 7228, 88 Pages, 1977/08
K.V.Roberts等により開発されたOLYMPUSシステムを変換し、原研計算センタに導入した。また、このシステムを働かせるためのプリ・プロセッサを開発した。OLYMPUSシステムは核融合研究やプラズマ物理におけるプログラム作成の標準化や、プログラム交換などに役立つものである。開発されたプリ・プロセッサは、原研OLYMPUSシステムにとって不可欠のものであるが、それ自体、ファイル操作、ファイル作成、ファイル修正などに役立つものである。
津田 孝; 田中 正俊
Journal of the Physical Society of Japan, 43(4), p.1407 - 1410, 1977/04
被引用回数：0不純物ドリフト波不安定性を粒子の平均自由行程が短い極限で解析した。磁力線方向の粘性によって不安定となる新しい型の不安定性を見いだした。不純物イオン量が充分に小さい場合には、磁場に垂直方向の拡散によってここで調べられた散逸型や無衝突型の不純物ドリフト波不安定性は安定化される。
田中 正俊; 安積 正史
日本物理学会誌, 30(11), P. 800, 1975/11
中性粒子入射によるプラズマ加熱について、トーラス入射を中心として問題点をのべた。
津田 孝; 田中 正俊
JAERI-M 6167, 6 Pages, 1975/06
無衝突領域(
≫k
;は粒子の平均自由行程、kは波動ベクトルの磁力線方向の成分)での場合と同様に、≫kの領域でも不純物イオンの存在がある種のドリフト不安定性を誘起することが示された。このモードは不純物の密度がある値より大きくなると、プラズマ・イオンのparallel粘性によって不安定となる。
津田 孝; 田中 正俊
Journal of the Physical Society of Japan, 38(6), P. 1792, 1975/06
バナナ領域のトカマク・プラズマ中で、不純物イオンの存在によって誘起される不安定性を解析した。従来より知られていた不純物モードより大きな成長率を持った不安定性が見つけられた。この不安定性は将来の大型トカマクでの不純物イオンの輸送に大きく関係する。
