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-rays after neutron capture by 
La for a T-violation search奥平 琢也; 清水 裕彦*; 北口 雅暁*; 広田 克也*; Haddock, C. C.*; 伊藤 維久也*; 山本 知樹*; 遠藤 駿典*; 石崎 貢平*; 佐藤 匠*; et al.
EPJ Web of Conferences, 219, p.09001_1 - 09001_6, 2019/12
原子核が熱外中性子を共鳴吸収する反応において、弱い相互作用起因のパリティ対称性の破れが核子間相互作用の最大10
倍増幅される現象が観測されている。この反応では時間反転対称性の破れにも同様の増幅効果があることが理論的に予言されており、全く新しい手法で未知の時間反転対称性の破れを世界最高感度で探索できる可能性がある。しかし、その増幅率は全ての核種で未知であり、この手法がもつ可能性を具体的に議論できていなかった。本研究ではJ-PARC, MLF, BL04のGe検出器群を用いて、La(n,)反応の角度分布測定を行い、世界で初めてLaで時間反転対称性の破れの増幅率を求めることに成功した。この結果を用いて、実験に必要な測定時間を見積もると、偏極率40%のLa核偏極技術、偏極率70%, 79atm・cmの
He Spin Filterを用意すれば、1.4日の測定で世界最高感度で時間反転対称性の破れ探索実験が可能であることが判明した。現在原子力機構では高性能なHe Spin Filterの開発を行なっており、本発表では線の角度分布測定の結果、及び共用ビームラインに適用するためのHe Spin Filterの開発の現状について発表する。
栗原 治; 田崎 隆; 百瀬 琢麿; 林 直美; 篠原 邦彦
Radiation Protection Dosimetry, 102(2), p.137 - 141, 2002/00
被引用回数：7 パーセンタイル：44.29(Environmental Sciences)核燃料サイクル開発機構東海事業所における過去20年間のプルトニウムの吸入事例を取りまとめ、個人の線量評価に関する知見を得た。それは以下の通りである。1.鼻スミアの放射能と初期糞中放射能の比は平均値としてPuO2については約2倍、Pu(NO3)4については約10倍となった。2.初期糞中の放射能の排泄パターンは、体内動態モデル(ICRP Pub.78)とも比較的良い一致をみた。
高崎 浩司; 栗原 治; 田崎 隆; 百瀬 琢麿; 圓尾 好宏; 篠原 邦彦
THE 47TH ANNUAL CONFERENCE ON BIOASSAY,ANALYTICAL & ENVIRONMENTAL RADIOCHEMISTRY, 0 Pages, 2002/00
核燃料サイクル開発機構東海事業所における過去20年間のプルトニウムの吸収事例を取りまとめ、個人の線量評価に関する知見を得た。鼻スミヤの放射能と初期糞中放射能の比は100倍以下であった。この結果より鼻スミヤで初期糞中放射能量を推定でき、内部被ばくを迅速かつ保守側に評価して、医療処置などの判断に活用することができる。
宮原 信*; 成田 憲彦*; 池田 圭一*; 加藤 義親*; 藤木 一雄*; 百瀬 琢麿; 田崎 隆; 栗原 治; 林 直美
JNC TY8400 2001-002, 81 Pages, 2001/07
JNC-TY8400-2001-002.pdf:2.35MB
内部被ばく線量を推定するためには、摂取された放射性物質の量(崩壊率)とその分布を知ることが重要である。この目的を達成するために、大きな2台のHPGe検出器を使用して-同時計測を適用する実験を試みた。測定は相対効率60%の2台のHPGe検出器と2次元データ集積システムよりなる-同時計測装置を用いてリストモードでデータ集積を行い、測定後フィルター処理により必要スペクトルを取得した。得られたスペクトルより、カスケード線の各々の強度及び同時計数率より崩壊率を計算する。その際、この方法では偶然同時計数成分の補正も可能である。実験は4
-同時計測で1%以下の不確かさで崩壊率を決定した
Na、
Co、
Cs線源を用いて種々の条件で測定し、得られた崩壊率と比較することで評価した。点線源の測定では、3核種とも
10%以内でほぼ一致し、統計的精度が得られる範囲では線源の位置依存性も認められなかった。その際、線源の崩壊率を10kBqから300kBqまで変えても10%以内で一致した。又、線源の位置を推定するために、スペクトルの強度が幾何学的には線源検出器間距離の2乗に反比例することを利用して、ピーク面積比と距離の2乗の逆数比を比較した。その結果両者には直線関係が認められたので、この測定系で2次元的な位置の推定がある程度可能と考えられる。3核種混合線源に対しては、スペクトルの重なりの影響が多少あり、測定値は20%以内での一致となった。分布線源に対する測定では、導出した崩壊率計算式に含まれる幾何学的検出効率の依存性が確かめられ、2個の線源を垂直に配置した測定値は多少小さくなり、水平に配置した場合は大きくなった。その影響は間隔とともに増大した。実際の測定を考慮して、点線源を連続で移動しながら測定を行った結果10%以内で一致した。これらの結果より、ヘリカルX線CTを応用したベット下部に測定系を配置する実際のシステムの構築が望まれる。
渡辺 光崇; 百瀬 隆*; 石垣 功; 田畑 米穂*; 岡本 次郎
Journal of Polymer Science; Polymer Letters Edition, 19, p.599 - 602, 1981/00
耐熱性、耐薬品性に優れたイオン交換膜の合成を目的として、メチルトリフルオルアクリレート(MTFA)と含フッ素オレフィンの共重合を行ない、得られた共重合体の諸性質を明らかにした。MTFA-含フッ素オレフィン共重合体の耐熱性はポリマー中のフッ素含有量の増大に伴なって向上する。しかし主鎖が完全にフッ素置換されたMTFA-テトラフルオルエチレン共重合体では、ポリマー中のエステル基の加水分解ができず、親水性をもつ含フッ素ポリマーへの転換は不可能であった。
大野 真也*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO
/Si界面が存在する。このためSi高指数面におけるSiO/Si界面構造のより詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)において0.8-2.26eVの並進運動エネルギーを持つ酸素の超音速分子線を用いて実験を行った。Si(001)とSi(113)はほぼ同様の並進運動エネルギー依存性を示すことがわかった。Si(113)表面の2層目のバックボンドへの酸化に対応するしきい値が1.51-2.26eVであることを示す結果を得た。
大野 真也*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。そのひとつであるSi(113)面においても、単原子層における酸化過程は二層目以降の酸化過程に影響を及ぼす。そこで、極薄酸化層の構造や組成を精密に制御するため、単原子層レベルでの酸化反応機構を研究した。実験はSPring-8の原子力機構専用ビームラインBL23SUの表面化学実験ステーションにおいて実施した。超音速酸素分子線の並進運動エネルギーを0.8eVから2.3eVの間で変化させることにより、Si(113)面に対する酸化促進効果に着目した。並進運動エネルギーが大きいほどSi(001)の場合と比べてSi
強度が顕著に減少し、逆にSi
強度が増加する傾向が観察され、酸化膜の化学組成はSiOにより近づくことが明らかになった。
大野 真也*; 兼村 瑠威*; 安部 壮祐*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
no journal, ,
本研究では、0.8eVから2.26eVの並進運動エネギーを持つ酸素の超音速分子線を用いて、Si(001)面とSi(113)面の初期酸化のリアルタイム光電子分光観察を行った。並進運動エネルギーの増加に伴ってSi(113)面ではSi(001)面と比べてSi強度が顕著に減小した。同様の傾向は熱酸化においても観測されている。すなわち、Si(113)面上に形成される極薄酸化膜の方がSiOにより近い状態となる。O1s内殻光電子スペクトルを高結合エネルギー成分(HBC)と低結合エネルギー成分(LBC)に分解して解析した結果、酸素分子線の並進運動エネルギーが大きいほどLBC成分が減少することがわかった。熱酸化の場合、LBCには歪みの大きいSi-O-Si結合の寄与が含まれていると考えられている。したがって、LBCの減少は高い並進運動エネルギーを与えて酸化することによって、より歪みの緩和が起こっていることを示している。
大野 真也*; 安部 壮祐*; 兼村 瑠威*; 三浦 脩*; 成重 卓真*; 井上 慧*; 百瀬 辰哉*; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; et al.
no journal, ,
Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFETにおいてはさまざまな面方位のSiO/Si界面が存在する。このため、Si高指数面上に形成される極薄酸化膜の構造や電子状態の詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000))において酸化過程のリアルタイム光電子分実験を行った。熱酸化過程については基板温度を340Kから920Kとした。分子線酸化過程については並進運動エネルギーが1.12eVから2.32eVの超音速分子線を用いて初期酸化反応を研究した。その結果、820KにおいてはSi(113)ではO1s光電子スペクトルの高結合エネルギー成分(HBC)の強度が顕著に減少することがわかった。この傾向は熱酸化と分子線酸化のすべての条件で共通している。このHBC強度の減少はSi(113)面において歪んだSi-O-Si結合が形成されやすいことに対応する。また、熱酸化ではSi状態が支配的であるのに対して、室温で行った分子線酸化ではSi
状態が支配的となる現象を見いだした。
