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論文

Thermal donor formation and the effect of copper contamination in oxygen-doped germanium

福岡登*; 田渕充*; 松田光司

Japanese Journal of Applied Physics, 27(9), p.1708 - 1711, 1988/09

https://doi.org/10.1143/JJAP.27.1708

被引用回数：3 パーセンタイル：23.97(Physics, Applied)

酸素をDopeしたGe単結晶中のThermal Donorの構造解析を試みた。熱処理後の格子間酸素原子の濃度減少からSingle thermal Donorは平均3個の酸素原子を含んでいることがわかった。また、酸素をDopeしたGe単結晶表面からのCu原子の拡散機構について電子線照射による解析を行った。実験結果よりCu原子は、格子間原子として表面より拡散し、結晶中に進出、約450 $^{circ}$ C以上の焼鈍で格子間位置を占めることがわかった。

報告書

DLTS法によるゲルマニウム単結晶中の酸素原子を含む照射欠陥の研究

福岡登*; 神戸祥之*; 斉藤晴男*; 松田光司

JAERI-M 84-091, 15 Pages, 1984/05

JAERI-M-84-091.pdf:0.57MB

酸素又はV族元素をドープしたゲルマニウム單結晶に電子線照射を行い、生じた欠陥の性質をDLTS法により調べた。また670K附近の熱処理により生じるthermaldonorの性質について調べた。酸素を含む複合欠陥によってEc-0.13eV及びEc-0.29eVに電子捕獲準位がが作られること、Ec-0.25eVに準位を作る欠陥は2種類あり、その一つはA-中心であることがわかった。670K附近の熱処理により生ずるthermaldonorがEc-0.23eV、及びEc-0.1eV準位をもつことがわかた。