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論文

High energy Ni ion implantation and thermal annealing for $$alpha$$-SiC single crystal

嶋谷 成俊*; 川面 澄*; 荒井 重義*; 塩野 豪司*; 堀野 裕治*; 杢野 由明*; 藤井 兼栄*; 竹下 英文; 山本 春也; 青木 康; et al.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 91, p.529 - 533, 1994/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(94)96280-4
 被引用回数：3 パーセンタイル：43.31(Instruments & Instrumentation)

高エネルギー$$^{56}$$Ni$$^{+}$$イオン(1MeV)を(0001)$$alpha$$-SiC結晶に注入後、各熱処理温度での注入Ni原子の分布変化及び母体結晶格子の熱回復挙動を、$$^{4}$$HeによるRBS-チャネリング法によって調べた。その結果、非晶質化した注入層は、1500$$^{circ}$$Cから再結晶化が進行するとともに、注入元素のNiの分布がガウス型から、均一型へと変化する事を見い出した。

論文

PIXE and RBS study of radiation-induced segregation in single crystal austenitic stainless steel SUS 304

川面 澄*; 中江 隆則*; 嶋谷 成俊*; 前田 耕治*; 荒井 重義*; 三田村 徹*; 寺沢 倫孝*; 岩崎 源*; 内田 等*; 小寺沢 啓司*; et al.

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 75, p.367 - 370, 1993/00

https://doi.org/10.1016/0168-583X(93)95677-W

照射誘起偏析を解析するためタンデム加速器から得られた140MeVのNiイオンを単結晶のステンレス鋼(オーステナイト系SUS304)に照射した。その試料を1.8MeVの$$^{4}$$HeイオンによりPIXE及びRBS法により解析した。その結果、照射効果と熱的アニーリング効果との違いを明らかにした。

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