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-fission and recoil---fission events observed in the reaction 
Ca + 
AmForsberg, U.*; Rudolph, D.*; Andersson, L.-L.*; Di Nitto, A.*; D
llmann, Ch. E.*; Fahlander, C.*; Gates, J. M.*; Golubev, P.*; Gregorich, K. E.*; Gross, C. J.*; et al.
Nuclear Physics A, 953, p.117 - 138, 2016/09
被引用回数：54 パーセンタイル：94.98(Physics, Nuclear)Ca + Am反応による115番元素合成実験で観測された崩壊連鎖について、最近我々が報告したドイツGSIで測定したデータと過去に報告されたロシアDubna及び米国LBNLで測定されたデータのすべてを使い、その起源を調査した。それらのデータの中に、反跳核--()-核分裂タイプの短い崩壊連鎖が14事象観測されており、そのうちのいくつかは中性子が2個放出されてできる
Mc起源であるとこれまで解釈されてきた。一方、今回我々は、これらの短い崩壊連鎖のほとんどが、中性子が3個放出されてできる
Mc起源であり、崩壊連鎖の途中でEC崩壊して核分裂したものであろうと再同定した。
Rudolph, D.*; Forsberg, U.*; Golubev, P.*; Sarmiento, L. G.*; Yakushev, A.*; Andersson, L.-L.*; Di Nitto, A.*; Dllmann, Ch. E.*; Gates, J. M.*; Gregorich, K. E.*; et al.
Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry, 303(2), p.1185 - 1190, 2015/02
被引用回数：8 パーセンタイル：47.84(Chemistry, Analytical)115番元素の崩壊連鎖を30事象観測し、過去に115同位体として報告されている崩壊連鎖と矛盾しないことを見出した。GEANT4モンテカルロシミュレーションにより高分解能-光子同時計数実験結果の再現を試みた。この解析手法により、超重核のQ
値や励起準位構造を精度よく導出できるようになる。
Forsberg, U.*; Rudolph, D.*; Golubev, P.*; Sarmiento, L. G.*; Yakushev, A.*; Andersson, L.-L.*; Di Nitto, A.*; Dllmann, Ch. E.*; Gates, J. M.*; Gregorich, K. E.*; et al.
EPJ Web of Conferences, 66, p.02036_1 - 02036_4, 2014/03
被引用回数：8 パーセンタイル：89.98(Physics, Nuclear)115番元素の崩壊連鎖測定に使用した焦点面Si検出器のセットアップと検出器プリアンプ出力のデジタル波形解析の結果及び検出器不感層による線エネルギー損失の事象毎の補正解析の結果について報告する。線検出器は、両面分割型Siストリップ検出器(DSSSD)5枚を箱型に配置し、115番元素を打ち込む底面検出器の片面の信号をデジタル波形解析した。底面検出器と側面検出器の2枚のSi検出器で検出された線は、2枚の不感層を斜めに横切ることから線エネルギー損失が事象毎に異なる。検出位置から線の放射角度を求めることで事象毎にエネルギー損失を補正することで線のエネルギー分解能を大幅に改善することに成功した。
Rudolph, D.*; Forsberg, U.*; Golubev, P.*; Sarmiento, L. G.*; Yakushev, A.*; Andersson, L.-L.*; Di Nitto, A.*; Dllmann, Ch. E.*; Gates, J. M.*; Gregorich, K. E.*; et al.
Acta Physica Polonica B, 45(2), p.263 - 272, 2014/02
被引用回数：22 パーセンタイル：73.73(Physics, Multidisciplinary)CaビームとAm標的との核反応で115番元素の同位体を合成し、崩壊連鎖を30事象観測した。観測された崩壊連鎖は過去に115番元素のものとして報告されたものと矛盾が無く、115番元素の同定を再確認した。また線と光子との同時計数測定を合わせて行い、115番元素の崩壊連鎖上に位置する超重核の
線およびX線の候補を観測した。最も重い超重核領域での線の観測は、超重核の核構造研究に大きな進歩をもたらすものである。
Rudolph, D.*; Forsberg, U.*; Golubev, P.*; Sarmiento, L. G.*; Yakushev, A.*; Andersson, L. L.*; Di Nitto, A.*; Dllmann, Ch. E.*; Gates, J. M.*; Gregorich, K. E.*; et al.
Physical Review Letters, 111(11), p.112502_1 - 112502_5, 2013/09
被引用回数：133 パーセンタイル：96.03(Physics, Multidisciplinary)A high-resolution X-ray and -ray coincidence spectroscopy experiment was conducted at the GSI Helmholtzzentrum fr Schwerionenforschung. Thirty correlated decay chains were detected following the fusion-evaporation reaction Ca + Am. The observations are consistent with previous assignments of similar decay chains to originate from element Z = 115. For the first time, precise spectroscopy allows the derivation of excitation schemes of isotopes along the decay chains starting with elements Z 
112. Comprehensive Monte-Carlo simulations accompany the data analysis. Nuclear structure models provide a first level interpretation.
calculation study on the EI4 center in 4
- and 6-SiCCarlsson, P.*; Son, N. T.*; Gali, A.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; Magnusson, B.*; Janz
n, E.*
Physical Review B, 82(23), p.235203_1 - 235203_11, 2010/12
被引用回数：11 パーセンタイル：44.67(Materials Science, Multidisciplinary)六方晶(4及び6)炭化ケイ素(SiC)中のEI4欠陥中心に関して電子常磁性共鳴(EPR)による評価を行った。高純度半絶縁性のSiCに電子線照射を行い、その後700
750
Cの熱処理を行うことでEI4欠陥中心が増加することが判明した。
Si及び
Cの超微細相互作用を調べ、熱処理によるEPRシグナルの変化量及び異なる炭素空孔型欠陥を考慮した supercell計算の結果、このEI4センターが中性の炭素空孔とシリコンサイトに炭素が入ったアンチサイトと炭素空孔の複合欠陥((V
-C
V)
)であることが同定できた。
Son, N. T.*; Carlsson, P.*; 磯谷 順一*; 森下 憲雄; 大島 武; Magnusson, B.*; Janzn, E.*
Materials Science Forum, 645-648, p.399 - 402, 2010/00
耐放射線性半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)の照射欠陥を電子常磁性共鳴(EPR)を用いて調べた。試料には半絶縁性の六方晶(4H)SiCを用い、2MeV電子線を室温にて照射した。照射後750Cまでの熱処理を行うことで、今回対象とするEI4と呼ばれる照射欠陥の濃度を増加させた。Si及びCの超微細相互作用を調べることでEI4の構造同定を試みた。EI4がC
対称性を有することと、熱処理による挙動も併せて解釈することで、EI4が二つの炭素空孔と炭素アンチサイトが複合化し、中性を示す欠陥(VVC)であることを見いだした。EI4の生成メカニズムに関しては、熱拡散したシリコン空孔に炭素が入り込むことで、炭素空孔と炭素アンチサイトペアを生成し、それが別の炭素空孔と複合化することで解釈できる。
Roach, C. M.*; Walters, M.*; Budny, R. V.*; Imbeaux, F.*; Fredian, T. W.*; Greenwald, M.*; Stillerman, J. A.*; Alexander, D. A.*; Carlsson, J.*; Cary, J. R.*; et al.
Nuclear Fusion, 48(12), p.125001_1 - 125001_19, 2008/12
被引用回数：35 パーセンタイル：25.40(Physics, Fluids & Plasmas)本論文では、国際トカマク物理活動において構築し2008年に一般公開した分布データベースについて述べる。分布データベースは、プラズマ輸送特性を記述するモデルの検証に活用される。1998年に一般公開した分布データベースに加えて、世界のトカマク装置(11台)で得られた代表的な分布データ(約100放電)を新たに登録している。例えば、JETとTFTRで実施されたDT放電、各装置で得られた内部輸送障壁を持つ放電やハイブリッド運転シナリオの放電などが含まれており、新規登録されたすべての放電の目的や特徴を装置ごとに記述している。また、分布データベースはftp, http, MDSplusを通して読み出しが可能である。
Son, N. T.*; Carlsson, P.*; Hassan, J. ul*; Janzn, E.*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; 森下 憲雄; 大島 武; et al.
Physical Review Letters, 96(5), p.055501_1 - 055501_4, 2006/02
被引用回数：201 パーセンタイル：97.04(Physics, Multidisciplinary)電子スピン共鳴(ESR)及びab initioスーパーセル計算を用いて炭化ケイ素(SiC)中の固有欠陥であるP6/P7センターの同定を行った。試料はn型及び高抵抗(SI)の六方晶SiC(4H-SiC)を用い、3MeVの電子線を室温又は850Cで2
10
, 110
/cm
照射し、P6/P7センターを導入した。ESR測定の結果、p型SiCではP6/P7センターは光照射下でのみ観測されていたが、n型SiCではシグナル強度は照射直後は低いものの暗状態でも観測されることが判明した。さらに、850C照射又は熱処理することでシグナル強度が増大することを見いだした。また、C及びSiの超微細相互作用の角度依存性の解析から、P6/P7センターがc軸に平行(C
対称)なSi空孔(V)とC空孔(V)の複空孔(V-V)とc軸に対し横向き(C対称)のV-Vであると同定された。さらに、ab initioスーパーセル計算を行ったところ、対称性や超微細相互作用のテンソルの値がESRの結果をよく再現することが判明した。以上より、P6/P7センターはV-Vであると帰結できた。
