Divacancy in 4H-SiC

4H-SiC中の複空孔

Son, N. T.*; Carlsson, P.*; Hassan, J. ul*; Janzn, E.*; 梅田享英*; 磯谷順一*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; 森下憲雄; 大島武; 伊藤久義

Son, N. T.*; Carlsson, P.*; Hassan, J. ul*; Janzn, E.*; Umeda, Takahide*; Isoya, Junichi*; Gali, A.*; Bockstedte, M.*; Morishita, Norio; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

電子スピン共鳴(ESR)及びab initioスーパーセル計算を用いて炭化ケイ素(SiC)中の固有欠陥であるP6/P7センターの同定を行った。試料はn型及び高抵抗(SI)の六方晶SiC(4H-SiC)を用い、3MeVの電子線を室温又は850 $^{circ}$ Cで210 $^{18}$ , 110 $^{19}$ /cm $^{2}$ 照射し、P6/P7センターを導入した。ESR測定の結果、p型SiCではP6/P7センターは光照射下でのみ観測されていたが、n型SiCではシグナル強度は照射直後は低いものの暗状態でも観測されることが判明した。さらに、850 $^{circ}$ C照射又は熱処理することでシグナル強度が増大することを見いだした。また、 $^{13}$ C及び $^{29}$ Siの超微細相互作用の角度依存性の解析から、P6/P7センターがc軸に平行(C $_{3v}$ 対称)なSi空孔(V $_{Si}$ )とC空孔(V $_{C}$ )の複空孔(V $_{Si}$ -V $_{C}$ )とc軸に対し横向き(C $_{1h}$ 対称)のV $_{Si}$ -V $_{C}$ であると同定された。さらに、ab initioスーパーセル計算を行ったところ、対称性や超微細相互作用のテンソルの値がESRの結果をよく再現することが判明した。以上より、P6/P7センターはV $_{Si}$ -V $_{C}$ であると帰結できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physical Review Letters
巻	:	96
号	:	5
ページ数	:	p.055501_1 - 055501_4
発行年月	:	2006/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.055501
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：96.99 分野：Physics, Multidisciplinary
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登録番号 : AA20060016
抄録集掲載番号 : 34000822
論文投稿番号 : 940

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