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論文

Annealing of electron irradiated, thick, ultrapure 4H SiC between 1100$$^{circ}$$C and 1500$$^{circ}$$C and measurements of lifetime and photoluminescence

Klahold, W. M.*; Devaty, R. P.*; Choyke, W. J.*; 河原 洸太朗*; 木本 恒暢*; 大島 武

Materials Science Forum, 778-780, p.273 - 276, 2014/02

Ultra-pure n-type (8$$times$$10$$^{13}$$ cm$$^{-3}$$), 99 $$mu$$m thick epitaxial layers of hexagonal (4H) silicon carbide (SiC) were irradiated with electrons either at 170 keV with a fluence of 5$$times$$10$$^{16}$$ cm$$^{-2}$$ or at 1 MeV with a fluence of 1$$times$$10$$^{15}$$ cm$$^{-2}$$ in various geometries. Low temperature photoluminescence (LTPL) spectra and microwave photoconductance ($$mu$$PCD) lifetime measurements were carried out for all samples before and after annealing in argon in free standing mode or on a POCO carbon (Poco Graphite, Inc.) platform, every 50 $$^{circ}$$C from 1100 $$^{circ}$$C to 1500 $$^{circ}$$C. However, no improvement in carrier lifetime was observed although previous studies reported that carbon diffused into SiC during high temperature treatment improves carrier lifetime. The result obtained in this study suggests that simple carbon diffusion model cannot be applied and more study is required to understand the injection of carbon interstitials into the SiC lattice.

論文

Negative-U system of carbon vacancy in 4H-SiC

Son, N. T.*; Trinh, X. T.*; L${o}$vile, L. S.*; Svensson, B. G.*; 河原 洸太朗*; 須田 淳*; 木本 恒暢*; 梅田 享英*; 磯谷 順一*; 牧野 高紘; et al.

Physical Review Letters, 109(18), p.187603_1 - 187603_5, 2012/11

 被引用回数:162 パーセンタイル:97.95(Physics, Multidisciplinary)

Nitrogen-doped n-type 4H-Silicon carbide (SiC) epitaxial layers were irradiated with electrons at 250 keV. Carbon vacancy (V$$_{C}$$) signals at both the h and k sites were studied using photoexitation Electron Paramagnetic Resonance (photo-EPR) and Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS). As a result, double negative charge states of V$$_{C}$$, showing its negative-U system were revealed. By the direct correlation between EPR and DLTS data, it was concluded that Z$$_{1}$$ is V$$_{C}$$ at h site and Z$$_{2}$$ is V$$_{C}$$ at k site. In addition, we concluded that EH$$_{7}$$ is a single donor level of V$$_{C}$$.

口頭

福島県浜通りにおける放射線分布画像の測定解析

河原 梨花*; 越智 康太郎; 山口 克彦*; 鳥居 建男*

no journal, , 

2011年3月の福島第一原子力発電所事故後、現在でも放射線の影響で福島県内では住民が帰還できない区域が残っている。本研究では、放射線分布を可視化することで、どのような場所に放射性物質が溜まるか評価した。帰還困難区域内で、コンプトンカメラ(H400, H3D社製)による測定を行った。ガンマプロッター(ガンマプロッターF, 日本放射線エンジニアリング製)を用いて、エリア全体における地上0.05, 1m高さの空間線量率を測定した。家屋周辺や道路の際、窪地の水溜まり付近で空間線量率が高いことが分かった。また、コンプトンカメラの測定では、道路脇に沿ってホットスポットが存在することが確認できた。これは、雨水の流れやすい砂利の上や平坦なコンクリートの上から流出した放射性核種が、瓦礫や溝等の雨水の溜まりやすい箇所に蓄積したためと考えられる。

口頭

コンプトンカメラによる福島県浜通りでの放射線分布画像の測定解析

河原 梨花*; 越智 康太郎; 山口 克彦*; 鳥居 建男*

no journal, , 

本研究では、コンプトンカメラを用いて、福島県浜通りエリアで放射性物質の分布計測を行なった。コンプトンカメラは軽量で放射線分布の可視化が可能であることから、現場での測定に有用である。今回、コンプトンカメラに加えて、サーベイメータ等を用いて、放射線測定を行いその比較を行なった。その結果、コンプトンカメラにより環境中での放射線分布(2次元画像)が明らかになった。しかし、2次元画像ではホットスポットまでの距離が分からない。そこで、より詳細に放射線源を把握するために、線源位置とその強度の3次元分布の作成を目指す。また、コンプトンカメラは核種別の線量率が求められることから、今後の線量率分布の予測にも繋がると考えている。

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