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神谷 富裕; 水橋 清; 峰原 英介; 宇都宮 伸宏*; 田中 隆一; 丸山 倫夫*; M.Koh*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 杉森 正章*; et al.
JAERI-M 94-033, 108 Pages, 1994/03
早稲田大学と原研は、MeV領域のマイクロビーム技術の開発を目的として、マイクロビーム形成装置を共同で設計・製作し、同大学理工学研究所の1.7MVタンデム加速器のビームラインに設置した。同加速器から引出された3MeV、He
のビームを用いてビーム集束化の実験を行い、ターゲットにおいて1.7
1.9
m
のサイズのビームスポットを得た。また、ビーム集束研究の基盤技術として、加速器、特にイオン源の電流安定化の検討・精密二連四重極電磁石レンズ(Qレンズ)の磁場解析、振動測定等を行うとともに、マイクロビーム技術開発研究に必要な実験の基礎となるデータを得た。本報告は本装置の概要及び共同研究の成果について述べる。
M.Koh*; 杉森 正章*; 村山 純一*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 原 謙一*; 滝口 吉郎*; 神谷 富裕; 宇都宮 伸宏*; 峰原 英介; et al.
Proceedings of International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Spasce Application, p.105 - 111, 1992/00
半導体素子の任意の位置におけるイオン照射効果を評価するためのマイクロプローブが早稲田大学タンデム加速器のビームライン上に設置された。本装置には、イオンビームによる照射位置の照準を容易にするための走査型電子顕微鏡の小型の鏡筒がターゲットチャンバーに組込まれている。現在までに3MeVのヘリウムイオンビームによって1.91.7mのビームスポットが確認されている。今回は本装置の概要と、本装置を用いて行った。ビーム径計測実験及び、ビーム照準のテスト実験について述べる。
