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論文

Change in pinning properties of Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$ single crystals by neutron irradiation followed by thermal annealing

中野 牧人*; 荻窪 光慈*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司; 山脇 道夫*

Physica C, 357-360(Part.1), p.277 - 279, 2001/09

Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$単結晶の中性子照射とその後の熱アニールによる特性変化について報告する。臨界電流密度($$J_{c}$$)と見かけのピン止めエネルギー($$U_{0}^{*}$$)を求め、これらが過剰な照射により減少するものの、照射後のアニールにより増加することを見いだした。673Kでアニールした試料では、20,40Kにおける$$J_{c}$$と$$U_{0}^{*}$$は、アニール開始24時間後まで増加した。一方、1073Kでアニールした試料では、$$J_{c}$$と$$U_{0}^{*}$$はアニール開始数時間後まで増加した後、現象に減じた。これらの結果は、熱アニールによる欠陥構造の変化に違いが生じたことを示している。

論文

Pinning property change of high-energy heavy-ion irradiated Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$ single crystals due to thermal annealing

荻窪 光慈*; 中野 牧人*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司; 山脇 道夫*

Physica C, 357-360(Part.1), p.280 - 283, 2001/09

Si$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$単結晶の高エネルギー重イオン照射とその後の熱アニールによるピン止め特性の変化ついて報告する。重イオン照射(200MeV Auもしくは500MeV Kr; 5$$times$$10$$^{10}$$~5$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$)後、試料を大気中でアニールした。臨界電流密度($$J_{C}$$)のフルエンス依存性と、$$J_{C}$$と見かけのピン止めエネルギー(U$$_{0}$$$$^{*}$$)のアニール時間に対する依存性は、Au照射とKr照射とでは様相が異なっており、照射によって生成する柱状欠陥の形,数や、回復挙動との違いと密接に関係していた。

論文

Kr$$^{20+}$$イオン照射及び照射後熱アニールによるBi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$高温酸化物超伝導体単結晶の超伝導特性変化

荻窪 光慈*; 内田 幸宏*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司*; 山脇 道夫*; 林 君夫

東京大学工学部総合試験所年報, 59, p.91 - 95, 2000/12

原研から東京大学寺井教授への平成11年度委託研究「高温酸化物超伝導材料の照射改質方法の検討及び基礎試験(I)」の報告書である。高温工学に関する先端的基礎研究の一環として、高温工学試験研究炉(HTTR)を用いる新素材・材料開発研究の位置づけで、標記研究を平成6年度から開始しており、平成11年度は第2期の初年度にあたっている。超伝導材料Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$(Bi-2212)単結晶の高エネルギー重イオン(510MeV Kr)照射後の熱アニーリングに伴う特性変化の報告である。5$$times$$10$$^{10}$$cm$$^{-2}$$または5$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$の照射後に、試料を空気中、673Kまたは1073Kで1~6時間アニールした。673Kアニールの場合には、臨界電流密度Jcはアニール時間とともに徐々に減少した。一方、1073Kアニールの場合には、Jcは徐々に増加した。Jcとピニングポテンシャルの変化は、照射によって生成した柱状欠陥の数密度、サイズ及び回復挙動に密接に関係することがわかった。

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