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Pinning property change of high-energy heavy-ion irradiated Bi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$ single crystals due to thermal annealing

重イオン照射されたSi$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$単結晶の熱アニールによるピン止め特性変化

荻窪 光慈*; 中野 牧人*; 寺井 隆幸*; 山口 憲司; 山脇 道夫*

Ogikubo, Koji*; Nakano, M.*; Terai, Takayuki*; Yamaguchi, Kenji; Yamawaki, Michio*

Si$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$単結晶の高エネルギー重イオン照射とその後の熱アニールによるピン止め特性の変化ついて報告する。重イオン照射(200MeV Auもしくは500MeV Kr; 5$$times$$10$$^{10}$$~5$$times$$10$$^{11}$$cm$$^{-2}$$)後、試料を大気中でアニールした。臨界電流密度($$J_{C}$$)のフルエンス依存性と、$$J_{C}$$と見かけのピン止めエネルギー(U$$_{0}$$$$^{*}$$)のアニール時間に対する依存性は、Au照射とKr照射とでは様相が異なっており、照射によって生成する柱状欠陥の形,数や、回復挙動との違いと密接に関係していた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physica C

巻

 :

357-360

号

 :

Part.1

ページ数

 :

p.280 - 283

発行年月

 :

2001/09

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Si$$_{2}$$Sr$$_{2}$$CaCu$$_{2}$$O$$_{8+x}$$単結晶; 重イオン照射; 柱状欠陥; 熱アニール; ピン止め特性

特許データ

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