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豊島 弘明*; 平賀 健太*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 小澤 健一*; 間瀬 一彦*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治
Photon Factory Activity Report 2011, Part B, P. 102, 2012/00
有機分子と半導体表面との界面状態はこれまで構築されてきた無機半導体技術に有機半導体を融合していくうえで重要となる。本研究ではさまざまな分子で前処理を行ったシリコン(Si)基板表面上における
-チオフェンオリゴマー6量体(-6T)の薄膜形成過程をPES、角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、及びSDRS, RDS法により調べた。水分子を先に単分子吸着させたSi表面上に-6T分子を吸着させた場合は、角度分解NEXAFS法により-6T分子は基板表面上で分子主軸を直立させて配向することがわかった。また、垂直配向度は吸着厚みに依存した。0.6nmに比べ3nm以上の多分子層において配向性はより顕著であった。さらに、-6T分子の配向性は前処理した分子の種類に依存した。エチレンを曝したSi表面上において、-6T分子の配向はそれほど顕著でないことが見いだされた。前処理により分子配向を制御できる可能性を示す結果である。
松川 誠; 三浦 友史; 寺門 恒久; 木村 豊秋; 大島 巌*; 川島 秀一*
Proceedings of International Symposium on Discharges and Electrical Insulation in Vacuum (ISDEIV 2000), 2, p.415 - 418, 2000/00
本論文は、この直流電流遮断器として使用する連続大電流真空スイッチの開発について述べたものである。すなわち、従来の真空遮断器の最大連続通電容量が4kAであったのに対して、開発した遮断器は強制空冷で12kAという大電流を流すことか可能とした。開発のうえでネックとなったのは、電流遮断時にアーク制御のための磁場を発生されるコイル構造部であり、この部分の大型化を新しいコイル構造を発案することで解決した。また、冷却効率の向上のために強制空冷を採用した。通電試験により、自然空冷の場合には8kA、強制空冷の場合には12kA流せることを、各部の温度上昇が規定値以下であることから確認した。
-sexithiophene超薄膜の構造平賀 健太*; 豊島 弘明*; 大野 真也*; 平尾 法恵; 関口 哲弘; 下山 巖; 馬場 祐治; 向井 孝三*; 吉信 淳*; 田中 正俊*
no journal, ,
有機半導体分子と半導体基板表面との界面構造の特性を自在に制御する技術の確立は有機トランジスタや太陽電池の作製・実用化において重要である。本研究ではさまざまな膜厚(0.25から1.0nm)の-sexithiophene(-6T)超薄膜を形成し、表面反射分光(RDS, SDRS)、S 1sの角度分解NEXAFS(X線吸収端微細構造)、UPSを測定した。RDS, SDRS、及びNEXAFSからは分子の配向について、一方でUPSからは配向の完全性に関する情報が得られた。表面修飾の方法や膜厚に依存した分子配向や凝集構造の相違について報告する。
-sexithiophene thin films grown on semiconductor surface studied by near-edge X-ray absorption fine structure平賀 健太*; 豊島 弘明*; 中島 淳貴*; 田中 博也*; 大野 真也*; 田中 正俊*; 関口 哲弘; 平尾 法恵; 下山 巖; 馬場 祐治
no journal, ,
半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO
/Si(001), HO/Si(001), CH
/Si(001), WSe, GaSeなど様々な半導体表面上に-6チオフェン(-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、-6T/SiO/Si(001)では分子は立って配向する。