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論文

Induced lattice defects in InGaAs laser diodes by high-temperature $$gamma$$-ray irradiation

大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍; 高見 保清*; 伊藤 久義

Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1185 - 1188, 2001/12

https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00937-1
 被引用回数：8 パーセンタイル：44.9(Physics, Condensed Matter)

InGaAsP系レーザダイオードにおいて高温$$gamma$$線照射により発生する格子欠陥とその素子特性に及ぼす影響を明らかにするために、レーザダイオード試料にCo-60線源を用いて$$gamma$$線照射を実施した。$$gamma$$線の照射量は最高100Mradとし、照射中の試料温度は20,100,200$$^{circ}C$$とした。照射前後にダイオードの電流・電圧(I-V)特性,容量・電圧(C-V)特性を室温にて測定した結果、照射後の順方向,逆方向電流及び光出力は照射温度の増加に伴い増加すること、また、これとは反対にしきい値電流は減少することがわかった。

論文

Impact of lattice defects on the preformance degradation of Si photodiodes by high-temperature $$gamma$$ and electron irradiation

大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍*; 高見 保清*; 伊藤 久義

Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1226 - 1229, 2001/12

https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00949-8
 被引用回数：31 パーセンタイル：79.64(Physics, Condensed Matter)

シリコン(Si)のPIN型フォトダイオードの高温$$gamma$$線照射による劣化を評価した。試験試料はSiフォトダイオードで、抵抗率が2~4K$$Omega$$であり、厚さ0.3mmのカバーガラス窓をもつTO-18パッケージに収められている。$$gamma$$線照射にはCo-60線源を使用し、照射量は最大1$$times$$107rad(Si),照射中の試料温度は20$$^{circ}C$$,100$$^{circ}C$$,200$$^{circ}C$$とした。照射前後のデバイス特性とDLTS測定を行い、照射による特性劣化と導入欠陥との相互関係について検討した。照射後のDLTS測定の結果、n形シリコン基板に導入された2種類の電子捕獲準位(Ec-0.22eV)及び(Ec-0.40eV)と1種類の正孔捕獲準位(EV+0.37eV)が検出された。一方、デバイス特性については、$$gamma$$線照射により暗電流は減少し、光電流は増加する傾向が得られた。これらの特性変化をDLTS測定で得られた欠陥準位に関連付けて議論する。

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