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斎藤 祐児; 菅 滋正*; 柿崎 明人*; 松下 智裕*; 今田 真*; 大門 寛*; 小野 寛太*; 藤沢 正美*; 木下 豊彦*; 石井 武比古*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 78, p.329 - 332, 1996/05
被引用回数:0 パーセンタイル:0.03(Spectroscopy)強磁性体ニッケルの3pおよび3s内殻準位とMVVオージェ電子とスピン分解光電子分光で調べた。内殻準位については、多重項をとり入れた不純物アンダーソンモデルに基づき解釈することができた。オージェ電子については従来の予想に反して正のスピン偏極度が観測された。また、本構造により高エネルギー側にも正のスピン偏極度が観測された。主に3d終状態と考えられていた主構造は、3dと3d終状態が強く混成していることがわかった。主構造より高エネルギー側の正のスピン偏極度は、大きくスピン偏極した2次電子励起に由来するという解釈を初めて行った。
岡根 哲夫; 山田 みつき*; 鈴木 章二*; 佐藤 繁*; 木下 豊彦*; 柿崎 明人*; 石井 武比古*; 小林 峰*; Shimoda, S.*; Iwaki, M.*; et al.
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.241 - 244, 1996/05
被引用回数:4 パーセンタイル:26.09(Spectroscopy)ニッケル及び銅の単結晶表面にセリウムを蒸着した系の電子状態を、X線光電子分光並びにシンクロトロン放射を利用した真空紫外光電子分光により調べた。この系では界面において原子の拡散が起こる結果、希土類金属-遷移金属合金から成る表面相が形成されることを確認した。そこで、構成原子の試料表面から深さ方向についての分布を調べるために中エネルギーイオン散乱実験も行った。実験の結果、ニッケル表面上にセリウムを蒸着した系では、セリウム4f準位と伝導電子帯の間の混成強度が表面層におけるセリウム濃度と強い相関関係を有していることを見出した。一方銅の表面にセリウムを蒸着した系においては、この混成強度が表面層でのセリウム濃度にほとんど依存しないことが解った。
関口 哲弘; 池浦 広美*; 田中 健一郎*; 小尾 欣一*
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 80, p.65 - 68, 1996/00
被引用回数:4 パーセンタイル:26.09(Spectroscopy)HO/Si(100)吸着系のO 1s内殻励起光刺激脱離をパルス放射光を用いたTOF法により調べた。脱離機構を調べるために脱離HおよびOイオンの運動エネルギー分布の励起エネルギー依存性を測定した。Hイオンでは分布は近似的に3成分の和で表わされる。励起エネルギー依存性から、各成分は、それぞれ低エネルギー側から(1)Si-L殻イオン化、(2)O-K殻イオン化、(3)O 1s共鳴とO 1s、3a、シェイク・オフ過程の重なり、に相当すると考えられた。O 1s共鳴では、最高運動エネルギー成分のH脱離には(O-H)軌道の反結合性が寄与していると考えられる。Oイオンの分布は3成分解析された。第2成分はO 1s、3a、シェイクオフ過程に相当し、最高運動エネルギー成分はO 1s、2a、シェイクオフ過程に相当する。2a軌道はSi-O-H全体の強い結合性軌道である。そのため、そこにホールを空けるとSi-O結合間に大きな反発力を生じ、高い運動エネルギーのOが脱離する。
吉井 賢資; 馬場 祐治; 佐々木 貞吉
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 79, p.215 - 218, 1996/00
被引用回数:13 パーセンタイル:59.28(Spectroscopy)銅(100)面上に単層及び多層吸着したCS及びSi(CH)Cl(0≦n≦4)について、S1sとCl1sを共鳴励起したときのKLLオージェ過程について調べ、以下の結果を得た。(1)単層吸着系では、観測されるオージェピークはつねに1本であり、ピークのエネルギー(E)は入射光エネルギー(h)に対し、ほぼ比例して変化する。(2)多層吸着系でも、同様のEシフトは観測されるが、この場合にはピークがノーマルとスペクテータの2本に分裂し、後者のみがEシフトをおこす。以上の結果を、共鳴ラマン散乱と、銅基板の伝導電子による1s内殻正孔しゃへいとの関連で説明する。