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/Si(001) system寺岡 有殿; 吉越 章隆
OMICRON Nanotechnology Newsletter, 6(1), p.4 - 6, 2002/04
表面反応ダイナミクスの研究では分子の並進運動エネルギーの作用を理解することが重要である。Si(001)面上での極薄酸化膜形成は表面反応ダイナミクス研究としてのみならずULSIにおけるゲート絶縁膜の開発にとっても重要な問題である。Si(001)面の初期酸化の際のO分子の並進運動エネルギーの役割を明らかにするため、超音速O分子線と放射光光電子分光法を用いて酸化過程の並進運動エネルギー依存性を測定した。第一にHOが解離吸着した表面の酸化では1eVと2.6eVに並進運動エネルギーしきい値を見いだした。Si-2p準位の光電子スペクトルのピーク分離から、第一のしきい値は二量体シリコンのバックボンドでの、第二のしきい値はサブサーフェイスシリコンのバックボンドでの直接的なO解離吸着のポテンシャルエネルギー障壁を表していると解釈される。
+L intensities of 3d-transition metals in phthalocyanines and the amine complexes越野 雅至*; 倉田 博基; 磯田 正二*; 小林 隆史*
Micron, 31(4), p.373 - 380, 2000/03
被引用回数：13 パーセンタイル：18.81(Microscopy)遷移金属元素の2p電子を励起して得られるL及びL吸収スペクトルは、金属の電子状態やスピン状態に敏感であることが知られている。本研究では、TiからCuが配位したフタロシアニン分子の結晶性薄膜について、電子エネルギー損失分光法によりL,スペクトルを測定し、その電子状態を検討した。その結果、L+Lの総強度は、各金属元素に局在するホールの数とよい相関関係にあることが見いだされた。また、Lをこの総強度で割った、ブランチング比は高スピン状態にある金属元素ほど高い値を示すことが明らかになった。
倉田 博基; P.Wahlbring*; 磯田 正二*; 小林 隆史*
Micron, 28(5), p.381 - 388, 1997/00
被引用回数：11 パーセンタイル：31.96(Microscopy)電子エネルギー損失分光法を用いて、微小領域の定量分析を行う場合、電子の非弾性散乱断面積の正確な値が必要となる。入射電子のエネルギーが400keV以上になると断面積に対する相対論効果が顕著になる。このような効果はこれまで理論的に予測はされていたものの、実験的に確かめられた例はなかった。本論文では、超高圧電子顕微鏡とエネルギーフィルター法を複合することにより、相対論効果を直接検証したものである。理論予測の正しさを実証するとともに、定量分析に応用されている場合の重要性が議論された。
