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西村 昭彦; 野際 公宏; 乙部 智仁; 大久保 忠勝*; 宝野 和博*; 近藤 啓悦; 横山 淳
Ultramicroscopy, 109(5), p.467 - 471, 2009/04
被引用回数：7 パーセンタイル：29.34(Microscopy)エネルギー保障型3次元アトムプローブに対するフェムト秒レーザーのレーザー照射条件の与える影響について報告する。レーザーのチャープ量はパルス圧縮器の調整により行った。高速増殖炉で使用予定のODS鋼の3DAP分析に成功したエネルギー保障型アトムプローブにより、レーザー発振器の不安定性によりシステム全体が不安定になること、また、質量スペクトルの幅の広がりが発生することが認められた。絶縁体への本システムの適用のため、高強度光場における伝導度向上の数値シミュレーションを行った。
倉田 博基
Ultramicroscopy, 78(1-4), p.233 - 240, 1999/00
被引用回数：4 パーセンタイル：43.04(Microscopy)透過電顕に結像型分析機能を複合した、いわゆるエネルギーフィルター電顕法は、高い空間分解能と軽元素のマッピングに有利などの特性を生かして、現在広い分野で利用され始めている。本研究では、このマッピング手法を超高圧電子顕微鏡に適用した場合のメリットについて検討した。その結果以下の点を明らかにした。(1)入射電子エネルギーが高いと、非弾性散乱電子によるマッピングでは対物レンズの色収差による分解能の劣化を受けにくく、高分解能観察に有利である。(2)超高圧電顕では、電子の非弾性散乱過程における相対論効果が顕著になり、その結果、高い空間分解能を維持した測定条件で、非弾性散乱強度の検出効率が向上するため、マッピングの感度が高くなる。(3)定量マッピングに適した試料厚さに対する制限が緩和され、よりバルクな情報を得ることができる。
櫛田 浩平; 北條 喜一
Ultramicroscopy, 35, p.289 - 293, 1991/00
被引用回数：19 パーセンタイル：69.21(Microscopy)電子線エネルギー損失分光(EELS)装置およびイオンガンを備えた100keVの電子顕微鏡内で、結晶性黒鉛に水素イオンを照射し、黒鉛の構造変化の様子をEELS、TEMおよび電子線回折法により「その場」観察した。その結果、イオン照射により黒鉛は非晶質化をおこすが、その過程には明確な臨界照射量が存在することが分かった。すなわち、非晶質化の開始および終了は、水素イオンフルエンスにして約7
10
(H
)/cm
および3.510
(H)/cmであり、これはそれぞれ0.05および0.25dpaに担当する。またこの非晶質化の変化は、炭素のK吸収端の微細構造(ELNES)の変化によっても裏付けられた。
110
orientation出井 数彦; 古野 茂実
Ultramicroscopy, 21, p.399 - 402, 1987/00
被引用回数：3 パーセンタイル：25(Microscopy)吾々が世界で初めてシリコンの110方向の原子像を高分解能電顕で撮影することに成功して以来10年を経たが、この間、この像について、示された原子位置の正確性を議論し、批判する論文が数人の研究者により提出された。今回これらの批判に応えて、原子位置表示の精度は、観察される試料の厚さにより大きく変わること、精度のよい像は非常に厳しい条件(厚さ70~80
の範囲でのみ観察可能で、この条件が万足されなければ他の電子光学的条件を如何に最適に調節しても不可能であることを今迄の結像計算の例を挙げて説明し、併せて精度のよい観測例を、明確な写真で示した。
