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from molten salts阿部 英樹*; 吉井 賢資; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 66(1), p.406 - 409, 2005/01
ホウ物超伝導体MgB膜の電気めっき法による作製について報告する。MgClなどからなる混合溶融塩を原材料に使用し、アルゴン雰囲気下600
Cでこの溶融塩を電気分解することにより、10ミクロンオーダーの厚みを持ったMgB膜を作製することができた。本手法では、基板材料にはグラファイトを使用するが、平坦な基板のみならず曲がった基板の上にも膜を作製できることが特徴である。また、電気抵抗測定及び磁化測定から、作成した試料が36Kに超伝導転移を示すことが観測された。
films electroplated to stainless steel substrates阿部 英樹*; 西田 憲二*; 今井 基晴*; 北澤 英明*; 吉井 賢資
Applied Physics Letters, 85(25), p.6197 - 6199, 2004/12
被引用回数：15 パーセンタイル：46.1(Physics, Applied)MgCl, NaCl, KCl, MgBO
からなる混合溶融塩に微量のCuClを添加したところ、ステンレス基板上にホウ化物超伝導体MgB膜を電気化学的手法によって作製できることを発見した。顕微鏡観察から、薄いCu層がステンレスとMgB膜を結合させる役割をしていることが示唆された。また、低温における電気伝導測定から、臨界磁場28T,不可逆磁場13T、及び臨界電流25000A/cm
の超伝導パラメータが得られた。この結果は、本手法で作製した膜が良好な超伝導特性を有することを示す。さらに、本手法の有する簡便安価性を考え合わせると、本手法はpowder-in-tube法のような従来型の膜作製法に比べ、応用に有利と結論した。
薄膜の作製; MgB電気めっき法の開発吉井 賢資; 阿部 英樹*
化学と工業, 56(7), p.802 - 804, 2003/00
新規超伝導体MgBの薄膜を、不活性雰囲気中における溶融塩からの電気化学反応により作製した。この、「MgB電気めっき法」は、簡便安価な装置により、1段階での薄膜作製を行うことができるという工業応用上の利点を持つ。本手法はまた、任意形状基板の表面に超伝導薄膜を作製できるという特長を備えている。この特長により、従来の超伝導応用技術の枠を越えた、新たな製品が創出されると期待される。
Sn and NbTi CIC conductors for supercoducting poloidal field coils of JT-60三浦 友史; 木津 要; 土屋 勝彦; 礒野 高明; 松井 邦浩; 逆井 章; 石田 真一; 松川 誠; 安藤 俊就
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 12(1), p.611 - 614, 2002/03
被引用回数：8 パーセンタイル：53.13(Engineering, Electrical & Electronic)JT-60の超伝導ポロイダル磁場(PF)コイルのために、20kA-7.4T級NbSn導体と20kA-5.0T級NbTi導体を開発した。PFコイルはパルス運転されるため、交流損失の低減が重要な検討項目である。2導体にはともにCrめっきを適用し、結合時定数の設計値は50msであるが、NbTi導体では、コスト低減を狙ってSnAgめっきの適用も検討した。短尺実寸サンプルの交流損失を測定した結果、NbSn導体の結合時定数は、導体熱処理時に素線間のCrめっきが焼結したため、設計値の5倍の大きさであった。曲げ歪を印加し焼結部をはがした後、交流損失を再測定する予定である。NbTi導体では、Crめっきが48msであり適用可能であることがわかった。一方、SnAgめっきは127msで、撚線後の効果的な酸化処理法をさらに検討する必要があることがわかった。臨界電流の測定結果についても報告する予定である。
長縄 弘親; 田中 幹也*; 齋木 幸則*
no journal, ,
無電解ニッケルめっきは、仕上げ表面処理として重要であるが、それによって生じる大量のニッケル廃液の処理方法の確立が、環境面、経済面において急務である。溶媒抽出は、同ニッケル廃液の処理に有望であり、われわれは、溶媒抽出を用いた無電解ニッケルめっき廃液からのニッケルのリサイクルプロセスを開発した。本研究では、工業的な溶媒抽出装置として、従来のミキサーセトラーに替えて、新規装置であるエマルションフローを適用し、ラボスケールと実用スケールの装置を用いて行った実験結果を紹介する。
武田 全康
no journal, ,
中性子はミクロな構造解析のためのプローブとして、X線(放射光)にはない特徴を持つ。表面技術協会表面技術とものづくり研究部会が研究対象とするめっき膜に対しても、中性子回折法による結晶構造解析、中性子反射率法による、薄膜の表面・界面の構造(磁気構造を含む)は有用である。講演では、めっき膜の構造解析手法の側面に焦点をあて、両手法の紹介を行う。
