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論文

Crossliking of polymers in heavy ion tracks

小泉 均*; 田口 光正; 小嶋 拓治; 市川 恒樹*

JAERI-Review 2003-033, TIARA Annual Report 2002, p.143 - 144, 2003/11

数平均分子量60,000のポリジメチルシロキサンに220MeV C$$^{5+}$$,350MeV Ne$$^{8+}$$、及び460MeV Ar$$^{13+}$$イオンビームをそれぞれ照射した。試料はイオンの飛程より十分厚くした。照射後の試料をヘキサンに溶解し、メンブレンフィルターでろ過し、不溶分の重量を測定した。ポリジメチルシロキサンの$$gamma$$線照射ではゲル化線量以下においてゲルは生成せず、ゲル化線量以上から重量が急激に増加し、ゲル分率は1に近づく。一方、イオンビーム照射の場合は、イオンのそれぞれの飛跡に沿ってゲル細線が生成するため重量はフルエンスに比例する。ゲル細線一つあたりの収量はC$$^{5+}$$,Ne$$^{8+}$$,Ar$$^{13+}$$イオンそれぞれ1.1x10$$^{-14}$$ g ion$$^{-1}$$, 4.8x10$$^{-14}$$ g ion$$^{-1}$$,2.0x10$$^{-14}$$ g ion$$^{-1}$$となる。ここでゲル細線を円筒であると仮定すると、その半径はそれぞれ1.1nm,4.8nm、 及び6.0nmであった。

論文

Chemical effects of heavy ion beams on organic materials

小泉 均*; 市川 恒樹*; 田口 光正; 小林 泰彦; 南波 秀樹

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 206, p.1124 - 1127, 2003/05

 被引用回数:7 パーセンタイル:51.51(Instruments & Instrumentation)

アラニン,アジピン酸及びポリジメチルシロキサンについて重イオン照射効果を調べた。アラニン及びアジピン酸に$$gamma$$線,220MeV C,350MeV Ne、及び175Mev Arイオンを照射したところ、生成したラジカルのG値は、この順で減少した。$$gamma$$線照射の場合、これらラジカルのG値は高線量照射で減少する。トラック内の局所的な高線量領域が、重イオン照射でのG値の減少の原因と考えられる。一方、ポリジメチルシロキサンにおいては、この高線量領域においてゲル化が起こり、重イオン飛跡に沿った細線ができることが確認された。

論文

Crosslinking of polydimethylsiloxane in heavy ion tracks

小泉 均*; 田口 光正; 小林 泰彦; 市川 恒樹*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 179(4), p.530 - 535, 2001/09

 被引用回数:6 パーセンタイル:53.46(Instruments & Instrumentation)

TIARA施設AVFサイクロトロンによる460MeV,Arイオンを照射したポリジメチルシロキサンから、ヘキサンに不溶な成分がメンブランフィルターにより分離された。不溶物の質量は照射したイオン数に比例した。このことから、トラック内の高い線量領域でゲル化が起こり、個々のトラック内でゲル細線が生成したと考えられる。ゲル細線の質量は照射前のポチジメチルシロキサンの分子量(Mn)に比例し、ゲル細線の半径はMnの増加に伴い増大した。また、ゲル化線量はMnの増加に伴い低下した。ゲル細線の半径は低LET放射線照射時の架橋のG値から数nmと見積もられた。この値はゲル化線量とトラック内線量分布との関係から良く説明できる。

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