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論文

重イオン照射による耐放射線性高分子多孔膜形成に及ぼすガンマ線照射効果

古牧 睦英; 石川 二郎

放射線, 21(2), p.3 - 9, 1995/00

http://ci.nii.ac.jp/naid/10009333636

高分子内の重イオン飛跡は、化学的エッチングによって飛跡像を顕微鏡下で観察できる大きさに拡大され、長さや巾が測定できる。エッチングされる飛跡は、雰囲気の影響を受け易い。光照射によって飛跡現出化が早められる現象は有名であるが、ガンマ線照射の影響を検討した例は少ない。大部分の飛跡検出用高分子は、ガンマ線照射により損傷を受け、分解するからである。しかし、ガンマ線照射は耐放射線性ポリイミドとPEEK中の飛跡の現出に対しては、有効な効果を及ぼすことが見いだされた。4$$times$$10$$^{8}$$Rad吸収線量にて、飛跡現出時間が1/3以下に短縮されたり、CuイオンとIイオンの場合を比べると、前者の方が後者よりも効果が大であることが分った。この方法を重イオン照射多孔膜作製に利用して検討した一部を述べた。

論文

Electron microscope observations of tracks of 130MeV Cl$$^{9}$$$$^{+}$$ ions in solids

古野 茂実; 大津 仁; 出井 数彦

J.Electron Microsc., 30(4), p.327 - 330, 1981/00

タンデム加速器による最初の実験として、130MeVのCl$$^{9}$$$$^{+}$$イオンを無機化合物(MoO$$_{3}$$およびMoS$$_{2}$$)薄膜結晶に照射して、形成された飛跡を電顕により観察した結果について報告する。Cl$$^{9}$$$$^{+}$$イオンを試料表面に対して垂直方向からMoO$$_{3}$$結晶に入射させると入射粒子の数に対応して直径約40$AA$の穴が生じ、イオンの固体検出器としての有効性を示した。次にCl$$^{9}$$$$^{+}$$イオンを表面に斜め方向から入射させた場合にはMoO$$_{3}$$においては巾約40$AA$の直線状飛跡が、またMoS$$_{2}$$においては直線状に並んだ反転からなる飛跡を観察した。前者においては、電子励起過程に費やされたイオンのエネルギーによる熱スパイク効果が飛跡形成の主因であり、後者では電子励起よりも核的衝突による不連続なエネルギー付与が主因となって、このような飛跡が形成されたものと解釈した。また入射イオンの高角度散乱を示す飛跡がまれに観察されることを示し、衝突の際のエネルギー伝達について定量的検討を行った。

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