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大和田 謙二; 藤井 保彦; 勝木 裕也*; 村岡 次郎*; 中尾 裕則*; 村上 洋一; 澤 博*; 仁宮 恵美*; 礒部 正彦*; 上田 寛*
Physical Review Letters, 94(10), p.106401_1 - 106401_4, 2005/03
被引用回数:24 パーセンタイル:72.06(Physics, Multidisciplinary)共鳴X線散乱をNaVOのT以下で現れる斜方晶ドメインに適用することで低温相の電荷秩序パターンをユニークにAAA'A'であると決定した。これらの結果により、A, A'をイジングスピンに対応させることができ、NaVOのTにおける「悪魔の階段」的相転移を説明できるようになった。
佐々木 貞吉; 馬場 祐治; 山本 博之; 笹瀬 雅人*; 磯部 昭二*
Surface and Interface Analysis, 20, p.682 - 686, 1993/00
被引用回数:4 パーセンタイル:21.40(Chemistry, Physical)TiO及びVOを1.5~15keV He,Ar,Xeで照射し、絶縁体から半導体の変化することを見い出した。表面電気伝導度は110Ar/cmの線量で数10cmであった。XPSによる検討の結果、表面酸素量は減少しTi(II),Ti(III),V(IV)などの還元化学種が生成していることがわかった。また、UPSスペクトルのEレベル近傍に新たにピークが出現し、この非結合性3d電子がチャージキャリアーになると考えた。伝導度測定及びXPS測定のデータより、イオン1個当りの酸素欠損量が求められ、8keVHeで60個、8keVArで110個、8keVXeで300個と決定された。
森川 日出貴*; 三宅 通博*; 岩井 津一*; 古川 和男; A.Revcolevschi*
J.Chem.Soc.,Faraday Trans.,I, 77(2), p.361 - 367, 1981/00
VOは急冷によりガラス化される物質の一つであるが、急冷によりガラス化される酸化物中においては、陽イオンのまわりの陰イオン配位数は4以下であることが知られている。X線解析の結果、VO結晶ではV原子のまわりの原子数は5個であるが、液体状態では約4個に減少する。従ってVO融体の構造はVO四面体を基本単位にしたランダムな系であると考えられ、このため急冷によりガラス状態が実現されるものと思われる。