The Investigation of charge transport properties of SOI semiconductor devices using a heavy ion microbeam

重イオンマイクロビームを用いた半導体素子内の電荷移動に関する研究

平尾 敏雄; Laird, J. S.; 森 英喜*; 小野田 忍*; 伊藤 久義

Hirao, Toshio; Laird, J. S.; Mori, Hidenobu*; Onoda, Shinobu*; Ito, Hisayoshi

シングルイベント発生機構の解明を目的として、TIARA照射施設のタンデム加速器に設けられている重イオンマイクロビームを用い、重イオン入射により半導体に発生する電荷の伝搬挙動を調べている。この研究の一環として、われわれはイオン1個で誘起される電流波形を観測できる新たな測定システムを開発し、これを用いて、SOI構造を備えたダイオードに15MeVのエネルギーの酸素イオンを照射し、発生する過渡電流波形を計測した。伝導型の異なる基板(p,n)で作製したダイオードで測定を行った結果、正孔の方が電子と比較して収集時間が約2倍長いことが確認された。さらに、発生電荷量は印加電圧の増加により飽和する傾向が得られた。この結果は、高電界領域でのキャリアのドリフト速度の飽和に起因すると考えられる。

no abstracts in English