Positron annihilation due to silicon vacancies in 3C and 6H SiC epitaxial layers induced by 1MeV electron irradiation

3C及び6H SiCエピタキシャル単結晶内に1MeV電子線照射で誘起されるSi空孔での陽電子消滅

河裾厚男; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; 吉川正人; 児島一聡; 伊藤久義

Kawasuso, Atsuo; Redmann, F.*; Krause-Rehberg, R.*; Yoshikawa, Masahito; Kojima, Kazutoshi; Ito, Hisayoshi

炭化ケイ素(SiC)半導体の空孔型欠陥における陽電子消滅パラメータを実験的に決定するため、1MeV電子線を照射したn型立方晶(3C)及び六方晶(6H)SiC単結晶に対し、陽電子ビームを用いて消滅線エネルギーのドップラー拡がり測定を行った。未照射SiCのS及びWを各々エネルギーウィンドウを511.0-5113.8keV,516.0-522.0keVに設定して求めた結果、バルク領域の値として結晶型によらずS $_{B}$ =0.435-0.437,W $_{B}$ =0.0032-0.0033が得られた。また、照射後の等時アニールによりSパラメータは約200 $^{circ}C$ ,700 $^{circ}C$ で減少すること、Wパラメータに比例して変化することがわかり、照射SiCでは陽電子は1種類の欠陥、即ちSi空孔で捕獲されると見なせることが確認できた。Si空孔濃度を考慮した解析の結果、Si空孔における特性S,WパラメータとしてS $_{V}$ =1.0280.003,W $_{V}$ =0.8340.005が決定できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physica Status Solidi (B)
巻	:	223
号	:	2
ページ数	:	p.R8 - R10
発行年月	:	2001/01
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キーワード	:	炭化ケイ素(SiC); 欠陥; 陽電子消滅; Sパラメータ; Wパラメータ

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論文URL	:	https://doi.org/10.1002/1521-3951(200101)223:23.0.CO;2-N
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登録番号 : A20000441
抄録集掲載番号 : 290417
論文投稿番号 : 18054

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