A Novel electron beam-induced reaction of sulfonium salt in the crystalline state

固相でのスルホニウム塩の電子線誘度反応に関する研究

Moon, S.; 前川 康成; 吉田 勝

Moon, S.; Maekawa, Yasunari; Yoshida, Masaru

オニウム塩から発生した酸の触媒連鎖反応を用いる化学増幅型電子線レジストは次世代半導体デバイスのナノ加工のための有力な候補の一つである。本研究では、電子線レジストへ適用できる、電子線に対して高い反応性を示す酸発生剤の開発を目的に、メタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム塩(TPS-Ms)を合成し、その固相での電子線反応性を調べた。スルホニウム塩への電子線の照射により、光分解生成物と同様のメタンスルホン酸,ジフェニルスルフィド,2-,3-,4-フェニルチオビフェニルとともに、新規反応中間体が生成した。液体クロマトグラフィー,ガスクロマトグラフィー/質量分析より、この中間体はベンゼン置換スルホニウム塩の三つの異性体であることがわかった。また、TPS-Msの光分解反応との比較から、この中間体は電子線反応特有の生成物であることを明らかにした。現在、電子線によりイオン化したTPS-Msのラジカルカチオンとフェニルラジカルとの反応で、新規中間体が生成したと考えている。

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