富岡 雄一*; 飯田 健*; 緑川 正彦*; 塚田 裕之*; 吉本 公博*; 土方 泰斗*; 矢口 裕之*; 吉川 正人; 石田 夕起*; 小杉 良治*; 吉田 貞史*
Tomioka, Yuichi*; Iida, Takeshi*; Midorikawa, Masahiko*; Tsukada, Hiroyuki*; Yoshimoto, Kimihiro*; Hijikata, Yasuto*; Yaguchi, Hiroyuki*; Yoshikawa, Masahito; Ishida, Yuki*; Kosugi, Ryoji*; Yoshida, Sadafumi*
SiC-MOSFET反転層の電子移動度は、理論値よりも小さい。これは、SiO
/SiC界面にある残留炭素が原因であると考えられている。そこで、乾燥酸素法、及び水素燃焼酸化法で作製したドライ酸化膜、及びパイロジェニック酸化膜、そして低温で作製した酸化膜(LTO膜)について、それぞれのSiO/SiC界面の光学定数を分光エリプソメータにより測定し、それらの光学特性の違いを調べ、界面構造の光学的な違いと酸化膜の電気特性との関連性を追求した。その結果、どの酸化膜においても、界面層のA値(波長無限大における屈折率)の値はバルクSiOの屈折率(n=1.465)より高くなった。これは薄い高屈折率界面層が、SiO/SiC界面に存在することを意味しており、Si-Siボンドのような強いイオン分極を持つボンドが界面に存在することを示唆する。またAの値は、酸化方法に依存しており、LTO膜のA値はパイロジェニック酸化膜、ドライ酸化膜のものより小さくなった。これら酸化膜を用いて作製したMOSFETの電気特性は大きく異なることから、A値がSiC MOS構造の電気的特性と関連していると考えられた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 389-393 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.1029 - 1032 |
発行年月 |
: | 2002/00 |
発表会議名 |
: | International Conference of Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001) |
開催年月 |
: | 2001/10 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：20.33 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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