Temperature dependence of heavy ion induced current transients in Si epilayer devices

シリコンエピデバイスにおける重イオン誘起過渡電流の温度依存性

Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Mori, Hidenobu; Ito, Hisayoshi

15MeV酸素イオンによりシリコンエピpn接合ダイオードに誘起される過渡電流の観測を80Kから300Kの温度範囲で行った。照射時温度80Kでは300K(室温)と比較した場合、過渡電流波形のピーク高さは約2.5倍,立下り時間は約1ns短くなっていることがわかった。一方、収集電荷量は温度によらずほぼ一定である結果が得られた。また、TCADシュミレーションにわれわれ独自の温度効果モデルを取り入れることで実験で得られた過渡電流の温度依存性を再現できることが確認できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and System (RADECS 2001) (CD-ROM)
巻	:
号	:
ページ数	:	7 Pages
発行年月	:	2002/00
発表会議名	:	6th European Conference on Radiation and its Effects on Components and System (RADECS 2001)
開催年月	:	2001/09
開催都市	:	Grenoble
開催国	:	France
キーワード	:	TCADシュミレーション; イオン誘起電流; マイクロビーム; シングルイベント

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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登録番号 : B20011031
抄録集掲載番号 : 301095
論文投稿番号 : 19532

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