山本 悦嗣 
; 芳賀 芳範 
; 松田 達磨; 稲田 佳彦*; 摂待 力生*; 常盤 欣文*; 大貫 惇睦
Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Matsuda, Tatsuma; Inada, Yoshihiko*; Settai, Rikio*; Tokiwa, Yoshifumi*; Onuki, Yoshichika
強磁性超伝導体URhGeの最適な結晶育成条件を求めた。用いたURhGe多結晶試料はアーク溶解で、単結晶試料はチョクラルスキー法で作製した。アニールは試料の質を高めるうえで重要であり、われわれは試料をタンタル箔に包み、真空の石英管に封じてさまざまな温度でアニールを行い、電気抵抗測定によって、アニール後の試料の質を調べた。また超高真空下で固相電解エレクトロ・トランスポート法による試料純良化を試みた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 34 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.1059 - 1062 |
発行年月 |
: | 2003/00 |
発表会議名 |
: | International Conference on Strongly Correlated Electron Systems (SCES 2002) |
開催年月 |
: | 2002/07 |
開催都市 |
: | Krakow |
開催国 |
: | Poland |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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