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Pulsed laser deposition of ilmenite FeTiO$$_{3}$$ epitaxial thin film onto sapphire substrate

パルスレーザー蒸着法によりサフィイア基板上に成長させたエピタキシャルFeTiO$$_{3}$$単結晶膜

Dai, Z.*; P.Zhu*; 山本 春也; 宮下 敦巳; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Dai, Z.*; P.Zhu*; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi

FeTiO$$_{3}$$の光学関連の基礎物性を調べるため、高純度薄膜をYAGレーザーを用いたアブレーション法により育成した。その結果、基板の$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001)と整合したFeTiO$$_{3}$$(0001)が成長することが明らかになった。重要な因子は、基板温度(450$$^{circ}$$C)及びガスふん囲気(Ar+5%O$$_{2}$$,0.01mbar)で正確なコントロールが必要であった。

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パーセンタイル:24.75

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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