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Pulsed laser deposition of ilmenite FeTiO$$_{3}$$ epitaxial thin film onto sapphire substrate

パルスレーザー蒸着法によりサフィイア基板上に成長させたエピタキシャルFeTiO$$_{3}$$単結晶膜

Dai, Z.*; P.Zhu*; 山本 春也; 宮下 敦巳; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Dai, Z.*; P.Zhu*; Yamamoto, Shunya; Miyashita, Atsumi; Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi

FeTiO$$_{3}$$の光学関連の基礎物性を調べるため、高純度薄膜をYAGレーザーを用いたアブレーション法により育成した。その結果、基板の$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001)と整合したFeTiO$$_{3}$$(0001)が成長することが明らかになった。重要な因子は、基板温度(450$$^{circ}$$C)及びガスふん囲気(Ar+5%O$$_{2}$$,0.01mbar)で正確なコントロールが必要であった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Thin Solid Films

巻

 :

339

号

 :

1-2

ページ数

 :

p.114 - 116

発行年月

 :

1999/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Laser Ablation; Epitaxy; $$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$; FeTiO$$_{3}$$; Ion Beam Analysis

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01161-4

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：78.42

分野：Materials Science, Multidisciplinary

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