鈴木 良一*; 大平 俊平*; 上殿 明良*; Y.K.Cho*; 吉田 貞史*; 石田 夕起*; 大島 武; 伊藤 久義; 千脇 光国*; 三角 智久*; 山崎 鉄夫*; 谷川 庄一郎*
Suzuki, Ryoichi*; not registered; Uedono, Akira*; Y.K.Cho*; Yoshida, Sadafumi*; Ishida, Yuki*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; not registered; Mikado, Tomohisa*; not registered; Tanigawa, Shoichiro*
電子リニアックを用いた高強度低速場陽子ビームラインの陽電子減速系の改善のため、種々の減速材料の陽電子再放出特性を調べた。W,SiC,GaN,SrTiO
,水素終端Siの陽電子再放出率を調べた結果、一次減速材としてはW,二次減速材としてはn型SiCが最適であることが示唆された。W減速材の照射劣化機構を明らかにするために陽電子消滅測定、オージェ電子分光測定を行った結果、照射により生成される空孔クラスターと表面の炭素不純物が劣化要因であることが判明した。また劣化したW減速材の再生には、酸素中900
C熱処理が有効であることが解った。さらに、W表面の酸素はポジトロニウム形成を抑制し、陽電子の再放出率を増加させることを見い出した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 37 |
号 |
: | 8 |
ページ数 |
: | p.4636 - 4643 |
発行年月 |
: | 1998/08 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：74.42 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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