石川 法人 
; 知見 康弘; 岩瀬 彰宏; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*; 神原 正*; 三田村 徹*; 粟屋 容子*; 寺澤 倫孝*
Ishikawa, Norito; Chimi, Yasuhiro; Iwase, Akihiro; Maeta, Hiroshi; not registered; Michikami, Osamu*; Kambara, Tadashi*; not registered; not registered; Terasawa, M.*
高温超伝導体EuBa
Cu
Oy薄膜に、イオン照射したときのC軸の照射量依存性を測定した。イオン種をHeからAuまで変化させ、またイオンのエネルギーを0.85MeVから200MeVまで変化させたときにC軸長の照射量に対する変化率がSe(電子的阻止能)、dJ/dx(primary ionization rate)に対してどういう振舞いを示すか調べた。但し、その際に弾性的はじき出しによる寄与をさし引き、電子励起による欠陥生成の寄与のみに着目した。その結果、電子励起による欠陥生成の効果は、Seのみではスケールされず、dJ/dxを用いるとよくスケールされることを見出した。また、その依存性はdJ/dxの4乗であり、これは、電子励起により形成されたイオンのクーロン反発により欠陥生成がなされた可能性を強く示唆するものである。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 135 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.184 - 189 |
発行年月 |
: | 1998/00 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1997/07 |
開催都市 |
: | China |
開催国 |
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キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：73.06 分野：Instruments & Instrumentation |
Altmetrics |
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