Damage accumulation in Al $_{2}$ O $_{3}$ during H $_{2+}$ or He $^{+}$ ion irradiation

H $_{2+}$ またはHe $^{+}$ ionを照射されたAl $_{2}$ O $_{3}$ の損傷蓄積効果

Sasajima, Naohiko*; Matsui, Tsuneo*; Furuno, Shigemi*; Hojo, Kiichi; not registered

200KV電顕付設イオン照射装置を用いて、Al $_{2}$ O $_{3}$ に水素またはHeイオンを照射し照射損傷過程を観察した。水素イオン照射では、673K以下では、照射欠陥及びバブルは均一に分布し、照射量の増加にともない数密度が増加した。923K以上の高温で水素バブルが照射欠陥(ループ)中心部に集中して発生することを初めて見いだした。またHeイオン照射ではすべての照射温度で、照射欠陥及びバブルは均一分布を示した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	148
号	:	1-4
ページ数	:	p.745 - 751
発行年月	:	1999/00
発表会議名	:	11th Int. Conf. on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-11)
開催年月	:	1998/08
開催都市	:	Netherlands
開催国	:
キーワード	:	TEM; EELS; バブル; 水素照射; ヘリウム照射

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00810-6
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：90.66 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B19980628
抄録集掲載番号 : 270936
論文投稿番号 : 16731

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Damage accumulation in AlO during H or He ion irradiation

HまたはHeionを照射されたAlOの損傷蓄積効果

Damage accumulation in Al $_{2}$ O $_{3}$ during H $_{2+}$ or He $^{+}$ ion irradiation

H $_{2+}$ またはHe $^{+}$ ionを照射されたAl $_{2}$ O $_{3}$ の損傷蓄積効果