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Studies of charge collection mechanisms in SOI devices using a heavy-ion microbeam

重イオンマイクロビームを用いたSOIデバイス中の電荷収集メカニズム

平尾 敏雄; 浜野 毅*; 酒井 卓郎; 梨山 勇

Hirao, Toshio; not registered; Sakai, Takuro; Nashiyama, Isamu

従来よりSOI素子構造は、上層シリコン層が薄いためにイオンの入射によって発生する電荷の収集が少ないなどの理由によりシングルシベント耐性に強く耐シングルイベント素子として注目されている。本内容は炭素と酸素の重イオンマイクロビームを、トップシリコン層が5.7$$mu$$mのSOI試料に入射して収集電荷を求めた。その結果SOI構造を持つ試料では、イオンの飛程がトップシリコン層以上であっても収集される電荷は、トップシリコン層の幅に依存するとの結果が得られた。このことは、トップシリコン層の幅を制御することでシングルイベント効果を低減できるとの見通しを立てることができた。本講演ではこれらの実験結果と高帯域測定手法について報告を行う。

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分野:Instruments & Instrumentation

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