Modelling of radiation response of p-Channel SiC MOSFETs

pチャンネルSiC MOSFETの放射線による特性変化のモデリング

Lee, K. K.; 大島 武; 伊藤 久義

Lee, K. K.; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

pチャンネル炭化ケイ素(SiC)金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の線線量計への応用の可能性を調べた。SiC MOSFETは、n型エピ基板へ800でアルミニウム(Al)イオンを注入後、アルゴン(Ar)中で1800,1分間熱処理することでソース,ドレイン領域を形成し、1100での水素燃焼酸化によりゲート酸化膜を作製した。ソース,ドレインのAl電極は蒸着後にAr中で850,5分間熱処理することでオーミック化した。線照射は室温で1MR/hの線量率で行った。照射によるしきい値電圧(V)の変化と線量(D)の関係を解析した結果、Vの変化はKD,K=-6.4,n=0.39で表せることを見出した。

The possibility of applying p-channel SiC MOSFET to dosimeter was investigated. The Source and Drain of SiC MOSFET was formed Al ion implantation at 800 C and annealing at 1800 C for 1 min in Ar. The gate oxide was fabricated using pyrogenic oxidation. Al electrodes of source and drain is formed Al evaporation and sintering at 850 C for 5 min in Ar. Gamma-ray irradiation to the MOSFETs was doned at the rate of 1MR/h at room temperature. As the result, the change of threshold voltage by irradiation is explained to be KD, where K and n are constants.