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Majority- and minority-carrier deep level traps in proton-irradiated $$n^{+}/p$$-InGaP space solar cells

陽子線照射したn$$^{+}$$/p-InGaP宇宙用太陽電池の深い準位を持つ多数、少数キャリアトラップ

Dharmarasu, N.*; 山口 真史*; Bourgoin, J. C.*; 高本 達也*; 大島 武; 伊藤 久義; 今泉 充*; 松田 純夫*

Dharmarasu, N.*; Yamaguchi, Masafumi*; Bourgoin, J. C.*; Takamoto, Tatsuya*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Imaizumi, Mitsuru*; Matsuda, Sumio*

n$$^{+}$$/p-InGaP太陽電池に0.38MeVから3MeVの陽子線を照射することで発生する欠陥をDLTS法を用いて調べた。その結果、HP1 (E$$_{V}$$+0.90$$pm$$0.05eV),HP2 (E$$_{V}$$+0.73$$pm$$0.05eV),H2 (E$$_{V}$$+0.55eV)とラベル付けされた3つの多数キャリア(ホール)トラップとEP1 (E$$_{C}$$ 0.54eV)とラベル付けされた少数キャリアトラップを発見した。また、これらのトラップは全てキャリアの再結合中心として働くこと、H2は少数キャリア注入によって消滅することを見出した。

We studied the properties of observed defects in n$$^{+}$$/p-InGaP solar cells created by irradiation of protons with different energies.Three majority (hole) and a minority-carrier traps, labeled respectively as HP1 (E$$_{V}$$+0.90$$pm$$0.05eV), HP2 (E$$_{V}$$+0.73$$pm$$0.05eV), H2 (E$$_{V}$$ +0.55eV),and EP1 (E$$_{C}$$ 0.54eV),were identified using deep level transient spectroscopy. All majority-carrier traps were found to act as recombination centers. While the H2 traps present in the proton-irradiated p-InGaP was found to anneal out by minority-carrier injection, the other traps were not.

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Applied Physics Letters

巻

 :

81

号

 :

1

ページ数

 :

p.64 - 66

発行年月

 :

2002/07

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

InGaP太陽電池; 陽子線照射; DLTS測定; 多数、少数キャリアトラップ

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1063/1.1491005

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊田工業大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：56.99

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

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