Thermal desorption spectroscopy of boron/carbon films after keV deuterium irradiation

keVエネルギーの重水素ビームを照射したボロン/炭素膜の昇温脱離ガス分析

Yamaki, Takahiro*; Goto, Yoshitaka*; Ando, Toshiro; Jimbo, Ryutaro*; Ogiwara, Norio; Saido, Masahiro

1keVの重水素ビームを照射した炭素/ボロン膜の昇温脱離ガス分析結果について報告する。B/C比が074at.%の炭素/ボロン膜に、473Kにて4.510 $^{17}$ D/cm $^{2}$ のフルエンスまで、3keVD $_{3+}$ を照射した後、D $_{2}$ 及びCD $_{4}$ の脱離特性を調べた。その結果、D $_{2}$ ガスの脱離に関しては、炭素膜では1050K付近に脱離ピークが現れるのに対して、ボロン濃度3%の膜では850Kにピークが移り、さらにボロン濃度が6070%となるとより低温側に脱離ピークが移動する。またボロン濃度の増加とともにCD $_{4}$ の脱離が減少することもわかった。これらの結果は、CVDによるB $_{4}$ C被覆材やB $_{4}$ C転化材料の脱離ガス特性とも一致した。炭素ボロン膜の場合、CD $_{4}$ の脱離が炭素に比べて著しく小さくなるのは、D $_{2}$ の脱離が低温側で生じるため、CD $_{4}$ の脱離が顕著となるより高温の領域では、表面層に捕獲された重水素の濃度が低いためと考えられる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	217
号	:	1-2
ページ数	:	p.154 - 160
発行年月	:	1994/11
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	炭素ボロン膜; 放出ガス; 昇温脱離分析; 重水素; メタンガス; CVD被覆B $_{4}$ C; B $_{4}$ C転化材; プラズマ対向材; 核融合

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-3115(94)90315-8
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InCites™	:	パーセンタイル：68.99 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : A19930259
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 7199

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