上殿 明良*; 河野 孝央*; L.Wei*; 谷川 庄一郎*; 碇 敦*; 川上 和人*; 伊藤 久義
Uedono, Akira*; not registered; L.Wei*; not registered; not registered; not registered; Ito, Hisayoshi
引き上げ法(CZ法)により作製したSi単結晶中の酸素原子の凝集(クラスタリング)挙動を陽電子消滅法を用いて調べた。450
Cから1000Cの温度範囲で熱処理を加えたSi試料の陽電子寿命測定を行った結果、熱処理温度を増加させると陽電子寿命が減少することが解った。これは、陽電子を捕獲する酸素クラスターが熱処理により形成されることで説明できる。また、CZ-Si結晶に3MeV電子線照射により空孔-酸素複合体を導入し、等時アニールによる陽電子捕獲速度の変化を調べた。この結果、単一空孔と酸素の複合体VOnの濃度が700C以上の高温アニールで増加することが解った。これに対し、赤外吸収測定からはVO濃度はアニールにより増加しないことが示された。従って、得られた結果は、酸素クラスタリングに伴うVOn(n:2以上)が700C以上の熱処理により生成されることを示している。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 33 |
号 |
: | 8B |
ページ数 |
: | p.L1131 - L1134 |
発行年月 |
: | 1994/08 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：17.87 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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