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Radiation damage in pure and Al-doped Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$

3元素セラミック増殖材の照射損傷

野田 健治; 石井 慶信; 中沢 哲也; 松井 尚之*; 井川 直樹; D.Vollath*; 大野 英雄; 渡辺 斉

Noda, Kenji; Ishii, Yoshinobu; not registered; not registered; Igawa, Naoki; D.Vollath*; Ono, Hideo; Watanabe, H.

Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$は核融合炉セラミック増殖材の有力候補材料であり、AlをドープしたLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$(Li$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$)はその改良型材料として注目されている。本研究では、照射健全性やトリチウム放出に影響を及ぼすこれら材料の照射損傷を調べるため、酸素又はリチウムイオン照射した試料のイオン電導度及びラマン分光測定を行った。照射後のLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$の電導度は413-613Kで照射量とともに増加した。この増加は413-673Kの等時焼鈍では回復しなかった。一方、照射後のLi$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$の電導度は373-413Kで照射量とともに増加したが、443-503Kでは照射量依存性を示さなかった。Li$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$の等時焼鈍では、上記照射量依存性を示す温度範囲に対応し、473Kまでに照射による電導度の増加は回復した。この他、照射試料についてのラマン分光測定についても報告する。

no abstracts in English

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