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Structural analysis of ion irradiated pure and Al-doped Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$

イオン照射されたLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$及びAlをドープしたLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$の構造分析

中沢 哲也; 野田 健治; 石井 慶信; 松井 尚之*; 井川 直樹   ; D.Vollath*; 大野 英雄; 渡辺 斉

not registered; Noda, Kenji; Ishii, Yoshinobu; not registered; Igawa, Naoki; D.Vollath*; Ono, Hideo; Watanabe, H.

核融合炉トリチウム固体増殖材料の候補材料であるLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$やLi$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$は、核融合炉の稼働中著しい照射環境に曝される。このような環境下において、これら材料内に形成された欠陥は照射された材料の性質を支配する要因の一つとなる。従って、固体増殖材に及ぼす照射効果に関する基礎情報を得るため、これらリチウムセラミックスの照射損傷に関する基礎的な知見を得ることは重要である。本研究では、酸素イオンを照射したこれら試料のラマン分光、赤外分光測定及び電子顕微鏡観察を行い、新たに得られた照射損傷の知見について報告する。このうち、ラマン分光及び赤外分光測定では、原研タンデム加速器を用いて10$$^{20}$$個/m$$^{2}$$の酸素イオン(120MeV)を照射したLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$についていくつかの新しい相の出現が確認された。これらの新しい相はLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$を構成するSiO$$_{4}$$の分解生成物と考えられ、その内の一つはSiO$$_{2}$$であることが赤外スペクトルから診断された。

no abstracts in English

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Fusion Technology 1992

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.1444 - 1448

発行年月

 :

1993/00

発表会議名

 :

17th Symposium on Fusion Technology (SOFT-17)

開催年月

 :

1992/09

開催都市

 :

Roma

開催国

 :

Italy

キーワード

 :

Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$; Alドープ; 構造解析; 照射損傷; 赤外分光; 電子顕微鏡; ラマン分光

特許データ

 :

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