Development of heavy-ion irradiation technique for single-event in semiconductor devices

半導体素子のシングルイベント評価のための重イオン照射技術の開発

根本 規生*; 阿久津 亮夫*; 内藤 一郎*; 松田 純夫*; 伊藤 久義; 上松 敬; 神谷 富裕; 梨山 勇

Nemoto, Norio*; Akutsu, Takeo*; Naito, Ichiro*; Matsuda, Sumio*; Ito, Hisayoshi; Agematsu, Takashi; Kamiya, Tomihiro; Nashiyama, Isamu

半導体素子のシングルイベント耐性を高精度で評価するために不可欠な高エネルギー重イオンの均一照射技術の開発を行った。素子に照射するイオンのフルエンス率の均一度を上げるため、磁気的走査手法を採用した。走査システムの開発においては、ビームオプティクス計算コードTRANSPORTを用いて素子照射に最適なビーム走査が可能な磁場の計算を行い、システム設計に反映させた。このビーム走査システムを製作し、AVFサイクロトロンの半導体素子照射用ビームコースに設置した。種々のイオン照射条件でフルエンス均一度をCTAフィルムを用いて調べた結果、照射野約2cm角でフルエンスのバラツキは平均値の約5%以内であり、シングルイベント耐性試験に十分適合することが示された。このシステムの導入により、ビーム均一度は従来行ってきたデフォーカス照射と比較し数倍向上し、より精度の高いシングルイベント耐性評価が可能になった。

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