Radiation response of SiC transistors

SiCトランジスタの放射線影響

Lee, K. K.; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi

六方晶炭化ケイ素(6H-SiC)エピタキシャル基板上にnチャンネル及びpチャンネルの金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製し、線照射効果を調べた。照射は室温で行い、電気特性の変化を調べた。その結果、nチャンネルMOSFETは200Mrad(SiO $_{2}$ )まで、pチャンネルMOSFETは10Mrad(SiO $_{2}$ )まで特性の変化は見られず、優れた耐放射線性を示した。sub-thershold特性を解析することで、線照射により発生する酸化膜中固定電荷,界面準位を見積もった。その結果、nチャンネルに比べpチャンネルの方が、これらの欠陥が多量に発生することが明かとなり、この結果としてpチャンネルの方が早く特性劣化が生ずると帰結できた。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
巻	:
号	:
ページ数	:	p.73 - 76
発行年月	:	2002/10
発表会議名	:	5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
開催年月	:	2002/10
開催都市	:	Takasaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	6H-SiC; MOSFET; 線照射; トータルドーズ耐性

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	コバルト60照射施設
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : B20021247
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 27192

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.