Laird, J. S.; 平尾 敏雄; 小野田 忍*; 森 英喜*; 伊藤 久義
Laird, J. S.; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu*; Mori, Hidenobu*; Ito, Hisayoshi
近年の情報化社会の急速な発展に伴って、高速応答光デバイスの需要が高まってきている。特に、InGaAsに代表されるIII-V族化合物半導体素子は、その高速応答性から非常に注目されている。これらの半導体素子を宇宙環境で使用する際、宇宙放射線による高速応答特性の劣化することは深刻な問題である。われわれは、代表的な宇宙放射線の1つである電子線をInGaAs素子に照射し、その高速応答特性の劣化を調べた。2MeV電子線の照射量が1E15/cm
を超えると、高速応答特性が急激に劣化することがわかった。高速応答特性の劣化原因は、半導体素子中のキャリア移動度及び電界強度の劣化で説明することができた。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.155 - 160 |
発行年月 |
: | 2002/10 |
発表会議名 |
: | 5th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications |
開催年月 |
: | 2002/10 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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