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High-resolution resonance photoemission study of Ce$$MX$$ ($$M$$=Pt, Pd; $$X$$=P, As, Sb)

Ce$$MX$$ ($$M$$=Pt, Pd; $$X$$=P, As, Sb)の高分解能共鳴光電子分光

岩崎 剛之*; 関山 明*; 山崎 篤志*; 岡崎 誠*; 角野 宏治*; 宇都宮 裕*; 今田 真*; 斎藤 祐児; 室 隆桂之*; 松下 智裕*; 播磨 尚朝*; 吉居 俊輔*; 笠谷 光男*; 落合 明*; 小口 多美夫*; 加藤 健一*; 新出 譲*; 竹ヶ原 克彦*; 菅 滋正*

Iwasaki, T.*; Sekiyama, Akira*; Yamasaki, Atsushi*; Okazaki, Makoto*; Kadono, Koji*; Utsunomiya, Hiroshi*; Imada, Shin*; Saito, Yuji; Muro, Takayuki*; Matsushita, Tomohiro*; Harima, Hisatomo*; Yoshii, Shunsuke*; Kasaya, Mitsuo*; Ochiai, Akira*; Oguchi, Tamio*; Kato, K.*; Niide, Y.*; Takegahara, K.*; Suga, Shigemasa*

低い近藤温度を持つCeMX (M=Pt, Pd; X=P, As, Sb)の Ce 3d-4f共鳴光電子分光を高いエネルギー分解能にて行い、Ce 4d-4f共鳴光電子分光の結果と比較を行った。実験結果は、低い近藤温度の物質においても表面とバルク電子状態が大きく異なることを示した。Ce 4f成分の寄与のない価電子帯スペクトルは、同じ構造をもつLaMXのバンド計算を用いて説明できた。実験で得られたCe 4f成分は、不純物アンダーソンに基づいたNCA(noncrossing approximation)計算によってよく再現でき、表面とバルクのCe 4f電子状態の違いを説明するのにもっと重要な要因がCe 4f準位シフトであることがわかった。さらに、CeMXのCe 4f状は、p-d反結合状態と優先的に混成することがわかった。

no abstracts in English

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パーセンタイル:26.94

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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