superconductor by high-energy heavy ion irradiation笹瀬 雅人; 佐藤 高広*; 岡安 悟 
; 倉田 博基; 北條 喜一
Sasase, Masato; Sato, Takahiro*; Okayasu, Satoru; Kurata, Hiroki; Hojo, Kiichi
重イオンによる固体中でのエネルギー付与は、高エネルギーで高密度電子励起により、低エネルギーで原子変位により行われる。金属の場合電子励起は損傷形成に寄与しないが、半導体や絶縁体、超伝導体で円柱状欠陥を形成する。特に酸化物高温超伝導体の場合、この円柱状欠陥が磁束のピン止め点として有効に作用し、Jの向上を促す。酸化物超伝導体中に形成される円柱状欠陥の形成機構を明らかにするために、照射イオンのエネルギー付与量(dE/dx)の効果を電顕観察により調べ、観察結果の理論的な考察をTime Dependence Line Source Model (TDLSM)により行った。その結果、照射エネルギーの増加とともに、円柱状欠陥の直径が8.4nm~16nmに変化した。この電顕観察結果とTRIMコードにより計算したdE/dxをもとに、TDLSMにより円柱状欠陥生成に必要なエネルギー付与量を計算した。イオン照射により付与されたエネルギーの1/3が円柱状欠陥生成に寄与していた。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.314 - 316 |
発行年月 |
: | 2000/00 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 1999/10 |
開催都市 |
: | Morioka |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | 高エネルギー重イオン照射; 酸化物高温超伝導体; 磁束のピン止め; 円柱状欠陥; TEM観察; エネルギー付与量(dE/dx); Time Dependence Line Source Model |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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