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High-resolution soft X-ray photoemission spectroscopy of spinel-type compound CuIr$$_{2}$$S$$_{4}$$

スピネル型化合物CuIr$$_{2}$$S$$_{4}$$の高分解能軟X線光電子分光

岡根 哲夫  ; 藤森 伸一   ; 間宮 一敏; 岡本 淳; 村松 康司; 藤森 淳; 鈴木 博之*; 松本 武彦*; 古林 孝夫*; 磯部 雅朗*; 永田 正一*

Okane, Tetsuo; Fujimori, Shinichi; Mamiya, Kazutoshi; Okamoto, Jun; Muramatsu, Yasuji; Fujimori, Atsushi; Suzuki, Hiroyuki*; Matsumoto, Takehiko*; Furubayashi, Takao*; Isobe, Masaaki*; Nagata, Shoichi*

金属-絶縁体転移を示すスピネル・カルコゲナイドCuIr$$_{2}$$S$$_{4}$$の温度に依存した電子状態の変化を高分解能軟X線光電子分光により実験的に調べた。試料温度が転移温度以下になると、フェルミ準位近傍でギャップの形成が見られる一方、価電子帯全体の構造も高エネルギー側にシフトしていることが明らかになった。またIr 4${it f}$内殻準位の光電子スペクトルの形状は転移温度の上と下で非常に顕著な形状変化を示した。このことは金属-絶縁体転移に伴うIr 5${it d}$電子状態の変化に対応したものと考えられる。

The electronic structure of spinel-type chalcogenide CuIr$$_{2}$$S$$_{4}$$, which exhibits a metal-insulator transition (MIT) as a function of temperature, has been studied by photoemission spectroscopy (PES). Below the transition temperature $$T_{mathrm{MI}}$$, the valence-band PES spectra indicate a gap formation, while the overall valence-band structure is shifted to the higher binding-energy side. The line shape of the Ir 4${it f}$ core-level PES spectra shows a dramatic change across $$T_{mathrm{MI}}$$, which may be associated with the variation of the Ir 5${it d}$ electron states.

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パーセンタイル:29.77

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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