Investigation of SiO/SiC interface using positron annihilation technique

陽電子ビームを用いたSiO/SiC界面の評価

前川 雅樹; 河裾 厚男; 吉川 正人; 一宮 彪彦

Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Yoshikawa, Masahito; Ichimiya, Ayahiko

熱酸化法によって作製された4H-SiC MOS構造のSiO/SiC層を陽電子消滅法を用いて評価した。消滅線のドップラー広がり(Sパラメータ)を入射陽電子エネルギーとゲートバイアスの関数として測定すると、負のゲートバイアスを印加した場合Sパラメータの顕著な増加が観察された。これはSiC領域に注入された陽電子がMOS内部に発生した電界によって界面方向に移動し界面準位の影響を受けSパラメータが上昇したものと考えられる。MOSへ紫外線を照射しながらSパラメータを測定すると、界面付近に発生した電荷が準位を充電し、欠陥への捕獲効率が変化しSパラメータが減少した。ここから準位の放電を比較的ゆっくりと行うとSパラメータの回復が見られる。界面準位密度の高いドライ酸化法を用いて作製した試料では、このような準位の充放電は紫外線を照射せずともSパラメータの変化として捉えることができた。Sパラメータ変化に影響を与える界面準位はMOS内部の電場の変化に遅れて充放電することから、これらは深いエネルギー準位にまで存在することが示唆された。

no abstracts in English