/SiC界面評価Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Yoshikawa, Masahito; Ichimiya, Ayahiko
SiO/SiC界面に存在している界面準位の評価は、高性能なSiCデバイス製作のための重要な問題である。われわれは陽電子消滅法によって熱酸化法によって作製された4H-SiC MOS構造のSiO/SiC層を評価した。これまでわれわれは、ゲート電圧に対する消滅
線のドップラー拡がり(Sパラメータ)の変化を測定してきたが、Sパラメータの変化はMOSの各層で消滅した成分を含んでおり、単純に界面準位の量を反映するものではないと思われる。そこでMOSに紫外線を照射し、界面のみに変化を誘起させることで界面準位の陽電子への影響を選択的に捕らえることを試みた。紫外線照射によりSパラメータが減少した。これは紫外線照射により生成したホールがSiO/SiC界面に蓄積し陽電子の移動が妨げられ、欠陥への捕獲効率が変化したためと考えられる。紫外線消光後もSパラメータは減少したままであったが、バイアス回路の開放による急速な電荷の移動を促したところSパラメータは回復した。これにより、SiO/SiC界面には蓄積したホールを一時的に保持できる多量の準位が存在することが示唆された。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 445-446 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.144 - 146 |
発行年月 |
: | 2004/05 |
発表会議名 |
: | 13th International Conference on Positron Annihilation (ICPA-13) |
開催年月 |
: | 2003/09 |
開催都市 |
: | Kyoto |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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