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Control of O$$_{2}$$ adsorption and SiO desorption by incident energy of O$$_{2}$$ molecules in the O$$_{2}$$/Si(001) surface reaction system

O$$_{2}$$/Si(001)表面反応系におけるO$$_{2}$$分子の運動エネルギーによるO$$_{2}$$吸着とSiO脱離の制御

寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 盛谷 浩右

Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Moritani, Kosuke

Si(001)表面の酸素分子による酸化反応には酸化膜の形成とSiO分子の脱離の二つの反応様式がある。われわれは酸素分子の並進運動エネルギーを変化させることによって、二つの反応様式を選択できることを見いだした。それに関する2002年の研究について報告する。

There are two surface chemical reaction modes in the O$$_{2}$$/Si(001) system, that is, oxide-layers formation and SiO desorption. We have found that these reaction modes could be selected by changing translational kinetic energy of incident O$$_{2}$$ molecules.

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