Kawasuso, Atsuo; Maekawa, Masaki; Yoshikawa, Masahito; Ichimiya, Ayahiko
RHEPD全反射強度解析法を用いて、熱処理により形成される6H SiC(0001)表面の超構造を研究した。その結果、高温水素エッチングにより平坦化処理した6H SiC(0001)表面には、酸素吸着が存在することがわかった。これは900-1000
Cの熱処理により脱離させることができ、それに伴い、RHEPDロッキング曲線の全反射領域に特徴的な吸収ピークが発現することが見いだされた。この熱処理では表面にSiアドアトムに付随する超構造が形成されることが報告されており、実際上の吸収ピークがこのモデルで説明できることが明らかになった。アドアトムと第一層の結合距離は約1.8
であり、LEEDによる結果とほぼ一致している。また、1000C以上の長時間熱処理により、表面炭化が進行し、これに伴い陽電子回折ロッキング曲線も劇的に変化することが明らかになった。得られたロッキング曲線は、表面にグラファイト単層が存在するとしてよく再現できること、及びグラファイト単層とSiC第一層の結合距離が約3.3となり、グラファイト単層がファンデルワールス力により結合していることがわかった。従来この表面の構造としては、グラファイト層モデルとアドアトムによる再構成モデルが提案されていたが、RHEPDの結果は前者が有力であることを示している。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 244 |
号 |
: | 1-4 |
ページ数 |
: | p.149 - 152 |
発行年月 |
: | 2005/05 |
発表会議名 |
: | 12th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12) |
開催年月 |
: | 2004/06 |
開催都市 |
: | Hamamatsu |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：0.02 分野：Chemistry, Physical |
Altmetrics |
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