Schottky and pn junction cryogenic radiation detectors made of p-InSb compound semiconductor

p型InSbを母材とするショットキー及びpn接合型低温放射線検出器

神野郁夫*; 菱木繁臣*; 村上治子*; 杉浦修*; 村瀬徳博*; 中村龍也 ; 片桐政樹

Kanno, Ikuo*; Hishiki, Shigeomi*; Murakami, Haruko*; Sugiura, Osamu*; Murase, Yasuhiro*; Nakamura, Tatsuya; Katagiri, Masaki

p型InSbを母材としてショットキー及びpn接合型低温放射線検出器を製作した。ショットキー型、及びpn接合型検出器では、77K、115K以下の温度において放射線検出器として動作することを確認した。本論文では各検出素子の製作方法、 $^{241}$ Amからのアルファ線照射によるパルス波高分布測定結果、信号パルス立ち上がり時間解析結果について述べる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A
巻	:	520
号	:	1-3
ページ数	:	p.93 - 95
発行年月	:	2004/03
発表会議名	:	10th International Workshop on Low Temperature Detectors (LTD10)
開催年月	:	2003/07
開催都市	:	Genoa
開催国	:	Italy
キーワード	:	Radiation Detector; Semiconductor; InSb

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.nima.2003.11.229
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：18.14 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B20032436
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 25727

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