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High-energy spectroscopic study of the III-V nitride-based diluted magnetic semiconductor Ga$$_{1-x}$$Mn$$_{x}$$N

窒化物希薄磁性半導体Ga$$_{1-x}$$Mn$$_{x}$$Nの高エネルギー分光

Hwang, J. I.*; 石田 行章*; 小林 正起*; 平田 玄*; 田久保 耕*; 溝川 貴司*; 藤森 淳; 岡本 淳; 間宮 一敏*; 斎藤 祐児; 村松 康司*; Ott, H.*; 田中 新*; 近藤 剛*; 宗片 比呂夫*

Hwang, J. I.*; Ishida, Yukiaki*; Kobayashi, Masaki*; Hirata, Gen*; Takubo, Ko*; Mizokawa, Takashi*; Fujimori, Atsushi; Okamoto, Jun; Mamiya, Kazutoshi*; Saito, Yuji; Muramatsu, Koji*; Ott, H.*; Tanaka, Arata*; Kondo, Tsuyoshi*; Munekata, Hiroo*

常磁性Ga$$_{1-x}$$Mn$$_{x}$$Nの電子構造について光電子分光(PES),X線吸収分光(XAS)によって調べた。XAS実験スペクトルを理論計算と比較することによって、GaN中Mnは正四面体配位結晶場中の2価で説明できることがわかった。この結果に従い、Mn2p及びMn3d光電子スペクトルを配置間相互作用クラスターモデルで解析した。これにより見積もられた電子構造パラメータから計算したp-d交換相互作用定数の大きさはGa$$_{1-x}$$Mn$$_{x}$$Asの1.6倍であることが判明した。また、内殻PESからはMn濃度の上昇に伴ってフェルミレベルが降下する様子とバンドギャップ中に新たな状態が生成され増大する様子が観測された。以上のことから、Ga$$_{1-x}$$Mn$$_{x}$$Nにおいて十分な正孔濃度を実現することで高い転移点を持つ強磁性が発現する可能性が実験的に示された。

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パーセンタイル:10.84

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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