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鈴木 慎太郎*; 田久保 耕*; 久我 健太郎*; 髭本 亘; 伊藤 孝; 冨田 崇弘*; 志村 恭通*; 松本 洋介*; Bareille, C.*; 和達 大樹*; et al.
Physical Review Research (Internet), 3(2), p.023140_1 - 023140_12, 2021/05
本論文では常圧において転移温度が20Kに達するYb化合物の発見について報告している。価数揺動物質
-YbAlB
のAlサイトをMnに置換することで、反強磁性転移温度が極めて高くなるだけでなく、重い電子状態から近藤半導体に近い抵抗の大きな金属状態へと変わることが見出された。
島田 明彦; 箱田 照幸; 小嶋 拓治; 田久保 剛*; 岩崎 達行*; 木下 忍*
JAEA-Review 2006-042, JAEA Takasaki Annual Report 2005, P. 60, 2007/02
ホルムアルデヒド(HCHO)とメタノール(CH
OH)を含む空気、いわゆるホルマリンガスは、薫蒸殺菌に使用した後の排出のためにその短時間での無害化処理が求められており、電子ビーム(EB)の応用を検討した。90-1230ppmvのHCHOと30-340ppmvのメタノール(CHOH)を含む空気を5-80kGyで電子ビーム照射し、吸収線量と照射後の残存HCHO濃度を測定した結果から、初期HCHO濃度とこれを10ppmvに減少させるために必要な線量の関係を求めた。HCHO初期濃度を[HCHO]
(ppmv)とし、必要な線量をD(kGy)とすると、CHOHを含む場合は、D=-4.2
10
[HCHO]
+1.210
[HCHO]-1.2、CHOHを含まない場合は、D=-3.810[HCHO]+1.010[HCHO]-1.0の関係が得られた。これらに基づいて、部屋の容積,初期濃度,加速器仕様をパラメータとして、CHOHを含む場合のHCHO含有空気をEB処理するために要する時間を算出する式を導出した。これから、EB処理プロセスは、従来の熱触媒法に比べて処理時間を1/4程度にできることがわかった。
Mn
NHwang, J. I.*; 石田 行章*; 小林 正起*; 平田 玄*; 田久保 耕*; 溝川 貴司*; 藤森 淳; 岡本 淳; 間宮 一敏*; 斎藤 祐児; et al.
Physical Review B, 72(8), p.085216_1 - 085216_6, 2005/08
被引用回数：64 パーセンタイル：87.86(Materials Science, Multidisciplinary)常磁性GaMnNの電子構造について光電子分光(PES),X線吸収分光(XAS)によって調べた。XAS実験スペクトルを理論計算と比較することによって、GaN中Mnは正四面体配位結晶場中の2価で説明できることがわかった。この結果に従い、Mn2p及びMn3d光電子スペクトルを配置間相互作用クラスターモデルで解析した。これにより見積もられた電子構造パラメータから計算したp-d交換相互作用定数の大きさはGaMnAsの1.6倍であることが判明した。また、内殻PESからはMn濃度の上昇に伴ってフェルミレベルが降下する様子とバンドギャップ中に新たな状態が生成され増大する様子が観測された。以上のことから、GaMnNにおいて十分な正孔濃度を実現することで高い転移点を持つ強磁性が発現する可能性が実験的に示された。
吉田 直樹*; 田久保 善彦*
JNC TJ1420 2004-026, 26 Pages, 2000/02
JNC-TJ1420-2004-026.pdf:1.87MB
東海事業所再処理工場から出される高レベル放射性廃棄物は、ガラス固化技術開発施設(TVF)の保管庫にて一時的に保管した後、今後、立地を進める中間貯蔵施設に移送し、30
50年間程度著層する計画が検討されている。このような状況を受け、本調査では、今後の中間貯蔵施設計画の検討に反映し、立地検討に資することを目的として、立地に係わり考慮すべき項目について、原子力施設に関する各種の立地指針、既存関連施設の安全審査書などに関する検討を加えた上で、地域を特定しない全国的な最新の既存資料・データについて収集した。その上で、立地地点選定の基本的な考え方について検討した。具体的に収集したデータは、自然条件(地震、活断層、火山、地滑り、気象など)、社会条件(石油化学プラント、石油備蓄基地、工場、飛行場、自然公園など)、行政情報(既存施設の安全審査書、立地協定など)などである。
島田 明彦; 箱田 照幸; 小嶋 拓治; 田久保 剛*; 岩崎 達行*; 木下 忍*
no journal, ,
薫蒸殺菌に使用したHCHOとCHOHを含む空気は、排気する前に短時間で無害化することが求められており、電子ビーム(EB)を用いた方法を検討した。HCHO 1001200ppmv及びCHOH30340ppmvを含む水分1%の空気試料を調製し、加速電圧1MVのEBで吸収線量580kGyの範囲で、HCHOとCHOHの分解をそれぞれ調べた。HCHOの約1/3の濃度のメタノールを含む場合では、HCHO初期濃度90, 300, 480、及び1230ppmvの時にHCHOを10ppmvに低減するために必要な線量は、それぞれ12, 32, 43、及び80kGyであった。加速電圧300kV,加速電流40mAのEB加速器及び、最大吸引流量10003000m
/hのブロアーを用い、1230ppmvのHCHOと340ppmvのCHOHを含む2000mの部屋の空気中のHCHOを清浄な外気の導入・希釈により10ppmvまで低減するのに要する時間を求めた結果、8.412.2hであった。これから、EBを用いる方法では、処理に23日を要していた従来の熱触媒法に比べて約1/41/5程度の時間で処理できることがわかった。
島田 明彦; 田久保 剛*; 箱田 照幸; 岩崎 達行*; 木下 忍*; 小嶋 拓治
no journal, ,
クリーンルームの薫蒸殺菌に使用後のホルムアルデヒド(HCHO)ガスについて、電子ビーム(EB)を用いてHCHOを分解するとともに、生成するOと触媒を利用して、ガス流通のままで分解生成物を酸化分解する技術の開発を行った。薫蒸ガスを模擬した520ppmvのHCHOを含む含水空気試料に、流通式で1MeV電子ビームを吸収線量10kGyで照射し、照射後分解生成物であるCO, CO
,ギ酸及びHCHO濃度を測定した。さらに、照射後の空気を100
CのO分解触媒に通過させた後のCO及びCO濃度を測定した。EB照射後の、CO, CO,ギ酸及びHCHO濃度はそれぞれ170, 60, 140及び150ppmvであり、触媒通過前後では、試料空気中のCO濃度はほとんど変化しなかったが、CO濃度は240ppmvに増加した。すなわち、触媒を通過させることにより、EB照射後の未分解HCHO及びギ酸を酸化分解できることがわかった。これらから、スクラバーを用いずにガス流通のままでHCHOガスをEB処理する簡易なプロセスが開発できる見通しを得た。
島田 明彦; 箱田 照幸; 小嶋 拓治; 田久保 剛*; 岩崎 達行*; 木下 忍*
no journal, ,
HCHOとCHOHを含む空気(ホルマリンガス)は、薫蒸殺菌に使用した後HCHO濃度を10ppmv以下に低減して排出するためにその短時間での無害化処理が求められており、電子ビーム(EB)を用いた方法を検討した。HCHO 1001200ppmv、及びCHOH30340ppmv(HCHOの約1/3の濃度)を含む水分1%の空気試料を調製し、加速電圧1MVのEBで吸収線量580kGyの範囲で、HCHOとCHOHの分解を調べた。この結果、HCHO初期濃度100, 300, 480、及び1230ppmvのときに、HCHOを10ppmvに低減するのに必要な線量は、それぞれに対して12, 32, 43、及び80kGyであった。この結果をもとに、任意のEB照射装置を用いて、任意の部屋容積,HCHO濃度のクリーンルームの処理時間を推定する一般式を導いた。この結果、300kV,40mAのEB照射装置を用いた場合、2000mのクリーンルームでは、HCHO初期濃度1200ppmvのクリーンルームのホルマリンガスの浄化に要する時間は約9時間となり、熱触媒法に比べて1/41/5の時間で処理できることがわかった。
島田 明彦; 箱田 照幸; 小嶋 拓治; 田久保 剛*; 岩崎 達行*; 木下 忍*
no journal, ,
ホルマリン含有空気(HCHOとCHOHを含む空気)は、薫蒸殺菌に使用した後の排出のためにその短時間無害化処理が求められており、電子ビーム(EB)を用いた方法を検討した。HCHO1001200ppmv、及びCHOH30340ppmv(HCHOの約1/3の濃度)を含む水分1%の空気試料を調製し、加速電圧1MVのEBで吸収線量580kGyの範囲で、HCHOとCHOHの分解を調べた。この結果、HCHO初期濃度100, 300, 480、及び1230ppmvのときに、HCHOを10ppmvに低減するのに必要な線量は、それぞれに対して12, 32, 43、及び80kGyであった。HCHOの分解生成物は、低線量ではおもにHCOOHとCOであり、高線量ではおもに、COとCOである。また、CHOHからHCHOは生成しないことがわかった。この結果をもとに、任意のEB照射装置を用いて、任意の部屋容積,HCHO濃度のクリーンルームの処理時間を推定する一般式を導いた。この結果、300kV, 40mAのEB照射装置を用いた場合、2000mのクリーンルームでは、HCHO濃度1200ppmvのクリーンルームのホルマリンガスの浄化に要する時間は約10時間となり、熱触媒法に比べて1/41/5の時間で処理できることがわかり、EB照射技術の有効性を示すことができた。
田久保 翔太*; 安居院 あかね; Liu, X.*; 鈴木 宏輔*; 櫻井 浩*
no journal, ,
本研究では、角型比の高いTbCoアモルファス垂直磁化膜について磁気コンプトン散乱の印加磁場依存性の測定を行った。これによりスピン選択磁気ヒステリシス曲線、軌道選択磁気ヒステリシス曲線、元素選択磁気ヒステリシス曲線を得た。角型比がほぼ1であるTbCoアモルファス垂直磁化膜は、スピン・軌道・元素別の磁場依存性を反映した複雑な前駆現象を経て、磁化反転することがわかったので報告する。
Co
垂直磁化膜のミクロスコピックな磁化過程の観察安居院 あかね; 櫻井 浩*; 田久保 翔太*; 鈴木 宏輔*; Liu, X.*
no journal, ,
RFスパッタリング法でアルミ箔の上にTi(30nm)/TbCo(200nm)を10層成膜したものを、TbCo膜試料について高輝度放射光を利用した磁気コンプトン散乱測定を行い、印加磁場依存性からスピン選択磁化測定した。全磁化測定とを組み合わせることで、全磁化曲線をスピン成分の磁化曲線(SSMH)、軌道成分の磁化曲線(OSMH)に分ける手法、さらにモデルフィッティングを利用して、スピン成分を構成元素別にした磁化曲線(ESMH)を得、ミクロスコピックな磁化曲線を測定したので報告する。
Co垂直磁化膜のスピン・軌道選択磁化曲線安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。
安居院 あかね; 櫻井 浩*; 鈴木 宏輔*; 田久保 翔太*; Liu, X.*
no journal, ,
本研究では遷移金属-希土類、TbCo膜について磁気コンプトン散乱を用いてミクロスコピックな磁化過程を測定した。スピン選択磁化曲線(SSMH)の向きは全磁化の向きに一致し、軌道選択磁化曲線(OSMH)はそれらと逆を向くこと、保磁力はどれも一致することが分かった。また、スピン成分と軌道成分の比は、ほぼ一定なことが分かった。
